[实用新型]一种高导热高出光的紫光封装结构

说明书

本实用新型公开了一种高导热高出光的紫光封装结构，包括AlN基板，所述AlN基板上设有一层氮化铝绝缘导热底层，所述AlN基板上焊接有两组正负电极，所述氮化铝绝缘导热底层上焊接有均匀排布的DPC焊盘，所述DPC焊盘上安装UV芯片，所述AlN基板背部为龟纹形状的金属焊接背镀，所述UV芯片采用合晶粉共晶至AlN基板上，其之间形成共晶焊接层，所述AlN基板的边缘设有耐UV挡墙，本实用新型不需要进行二次组装，而且本实用新型的结构设计结构简单，成本较低。

技术领域

本实用新型涉及封装技术领域，具体为一种高导热高出光的紫光封装结构。

背景技术

现有技术中对于紫光封装结构是将单颗LED紫光UV波段，波长200～410nm晶片封装为单颗LED灯珠光源，使用时再需根据需要将封装好的单颗LED灯珠光源使用贴片工艺焊接在相应的基板上，此种结构的光源和基板是分开的，使用时需要进行二次组装，因为紫光对静电的敏感性特别高，所以在操作上比较复杂，费时费力，组装的风险和成本都较高。

实用新型内容

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高导热高出光的紫光封装结构，包括AlN基板，所述AlN基板上设有一层氮化铝绝缘导热底层，所述AlN基板上焊接有两组正负电极，所述氮化铝绝缘导热底层上焊接有均匀排布的DPC焊盘，所述DPC焊盘上安装UV芯片，所述AlN基板背部为龟纹形状的金属焊接背镀，所述UV芯片采用合晶粉共晶至AlN基板上，其之间形成共晶焊接层，所述AlN基板的边缘设有耐UV挡墙。

作为本实用新型一种优选的技术方案，所述AlN基板通过锡膏回流焊接在热电隔离直热沉结构的铜基板上。

作为本实用新型一种优选的技术方案，所述耐UV挡墙采用耐UV材质。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

(1)本实用新型采用上述结构设计，其氮化铝绝缘导热底层的膨胀系数与UV芯片相当，在大电流的情况下，不会因为急剧膨胀二破坏芯片，这样可以使用更高的电流密度。

(2)基板为AlN，导热系数大于227W/M*K,可以让封装的COB光源迅速将热导出去，整个封装环境导热系数会比常规方案高很多；

(3)3.UV芯片采用合晶粉共晶至基板上面，其之间形成的共晶层的厚度小于5um比常规的固晶胶链接热阻低1个量级，即10倍左右，可以让芯片的热可以迅速的传递到基板上面；

(4)UV芯片为垂直出光制程，紫光能量从光源正面出去，减少光干涉以及光吸收引起的发热；并且UV芯片处于N2保护的环境中而非硅胶中，即在腔体受热时候不会膨胀拉扯金线，即光源可以使用在更高温度环境下而不失效，不会受紫光分解出其他小分子而影响出光，即可以有更高的出光效率；

(5)AlN基板底部采用龟纹设计，热可以更快产生薄膜跃迁效应，热可以更快的跃迁出去，整各光源可以有更好的热通道；

(6)该结构设计可以使整个光源可以SMT到一个直热沉导热系数398W/M*K的热电隔离的铜板上面，而非通过导热硅脂固定，导热系数可以高20倍左右；本实用新型不需要进行二次组装，而且本实用新型的结构设计结构简单，成本较低。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型金属焊接背镀的结构示意图。

图中：1-氮化铝绝缘导热底层；2-正负电极；3-DPC焊盘；4-UV芯片；5-共晶焊接层；6-耐UV挡墙；7-金属焊接背镀；8-AIN基板。

具体实施方式