[实用新型]一种升压保护电路以及具有该升压保护电路的移动电源

权利要求书

1.一种升压保护电路，其特征在于，包括升压保护芯片U9；升压保护电路具有控制端CTL-B；升压保护芯片U9为FP5139芯片；

升压保护电路由VBOUT+端供电；VBOUT+为汽车电池电压输出端；

升压保护电路通过BAT+端为储能模块充电；

VBOUT+端接PMOS管Q16的S极；PMOS管Q16的D极经电感L2接二极管D20的正极；二极管D20的负极经热敏电阻RT4接BAT+端；PMOS管Q16的G极经电阻R56接CTL-B端；PMOS管Q16的G极和S极之间跨接有电阻R41；

升压保护芯片U9的FB端经电阻R37接BAT+端；升压保护芯片U9的FB端还经电阻R39接地；

升压保护芯片U9的GATE端经电阻R61接NPN型三极管Q19的B极和PNP型三极管Q20的B极；Q19的E极和Q20的C极短接；Q19的C极接12V电源；

Q19的E极经电阻R43接NMOS管Q10的G极，Q10的D极接二极管D20的正极；Q10的S极和Q20的E极均接地；电阻R43并联有二极管D21。

2.根据权利要求1所述的升压保护电路，其特征在于，升压保护电路还具有控制端CTL-A；

CTL-A经电阻R58接PMOS管Q14的G极；PMOS管Q14的G极与二极管D20的负极之间接有电阻R40；PMOS管Q14的S极接二极管D20的负极；PMOS管Q14的D极接BAT+端。

3.根据权利要求2所述的升压保护电路，其特征在于，还包括过流保护电路；过流保护电路包括运算放大器U1-A；运算放大器U1-A的电源正端和电源负端分别接12V电源和地；

Q10的S极经并联的电阻R44和R42接SGND+端；SGND+端与BAT+端接有电容C10；SGND+端经电阻R45接运算放大器U1-A的同相输入端；运算放大器U1-A的反相输入端经电阻R47接地；运算放大器U1-A的同相输入端和反相输入端之间跨接有电阻R18；运算放大器U1-A的反相输入端与输出端之间跨接有电阻R15；运算放大器U1-A的输出端经二极管D22接U9的FB端。

4.根据权利要求3所述的升压保护电路，其特征在于，还包括电压比较电路；电压比较电路包括运算放大器U1-B；

UBOUT+端经依次串接的电阻R49和R51接地；电阻R49和R51的连接点经电阻R46接运算放大器U1-B的反相输入端；运算放大器U1-B的同相输入端经电阻R48接2.5V参考电压端2V5REF；运算放大器U1-B的反相输入端和输出端之间跨接有电阻R50；运算放大器U1-B的输出端经二极管D31接U9的FB端。

5.根据权利要求4所述的升压保护电路，其特征在于，运算放大器U1-A和U1-B均采用LM258ADR器件。

6.根据权利要求1所述的升压保护电路，其特征在于，还包括CTL-B和EN-19V信号产生电路；

CTL-B和EN-19V信号产生电路包括NMOS管Q11和Q18；CTL-CHG端经依次串联的电阻R63和R64接地；Q11的G极和Q18的G极均接电阻R63和R64的连接点；Q11的S极和Q18的S极均接地；Q11的D极和Q18的D极分别接EN-19V和CTL-B端，EN-19V经电阻R57接U9的CTL端。

7.根据权利要求2所述的升压保护电路，其特征在于，还包括CTL-A信号产生电路；

CTL-A信号产生电路包括NMOS管Q17；CTL-CHGBAT端经依次串联的电阻R25和R31接地；Q17的G极接电阻R25和R31的连接点；Q18的S极接地；Q18的D极接CTL-A端。

8.一种移动电源，其特征在于，包括储能模块和权利要求1～7任一项所述的升压保护电路；所述的升压保护电路为储能模块充电；所述的储能模块为基于超级电容或基于锂电池的储能模块。

9.根据权利要求8所述的移动电源，其特征在于，储能模块连接有应急放电接口。