[实用新型]一种光伏组件封装结构有效
申请号: | 201720643650.7 | 申请日: | 2017-06-05 |
公开(公告)号: | CN206961855U | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 齐长红 | 申请(专利权)人: | 杭州唐能能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/0224;H01L31/0216 |
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地址: | 311201 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组件 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型属于光伏发电技术领域,尤其涉及一种光伏组件封装结构。
背景技术
太阳能发电通常分为光热发电和光伏发电两类。光伏发电主要是利用半导体界面的光生伏特效应,从而将光能直接转变为电能。目前现有的光伏电池主要使用硅片作为集体材料,经过扩散作用在硅片内形成P-N结,再在硅片表面通过丝网印刷制出栅线,并通过栅线收集汇总P-N结所产生的电流,以进行发电。
然而,由于栅线本身具有一定的宽度,且数量众多,会将照射到电池表面的光线反射出相当一部分,造成光能浪费。同时,由于太阳光线随时间,其入射角度将发生变化,射入的光线不稳定,且太阳能电池表面积有限,收集到的光能有限,其发电效率不高,如果能增大光线的射入量,可以有效增加太阳能电池的发电效率。
封装是太阳能电池生产中的关键步骤,高质量的太阳能电池封装结构不仅可以使电池的寿命得到保证,而且还可以增强电池的抗击强度。市面上虽然出现一些满足上述条件的太阳能电池封装结构,但是这些太阳能电池封装结构往往结构复杂导致生产成本较高,不利于生产厂家规模化的生产。
发明内容
为了解决上述的技术问题,本实用新型的目的是提供一种生产成本低廉,便于规模化生产的高质量光伏组件封装结构,通过设置聚光板增大入射光线的量,通过设置增透膜增大光线的透射效率,通过将栅线层埋设在掺杂硅层内,从而减小对入射光线的反射,通过设置反射层将穿透能力强的光线反射回发电区,以上共同作用有效增大了太阳能电池组的发电效率。
为了实现上述的目的,本实用新型采用了以下的技术方案:
一种光伏组件封装结构,包括边框、钢化玻璃、电池板、背板以及设置在背板上的接线盒,钢化玻璃、电池板和背板从上至下顺序连接成一层状结构,且该层状结构包裹在边框内;所述钢化玻璃通过EVA粘结在电池板的上表面,在钢化玻璃和电池板之间设置有增透膜,所述背板通过EVA粘结在电池板的下表面;所述电池板包括栅线层和基体层,所述基体层由上到下依次为掺杂硅层、衬底硅层和电极层,所述掺杂硅层和衬底硅层接触设置,栅线层埋设在掺杂硅层内,所述衬底硅层和电极层之间设置有反射层。这种封装结构生产成本低廉,便于规模化生产且质量高。通过设置聚光板增大入射光线的量,通过设置增透膜增大光线的透射效率,通过将栅线层埋设在掺杂硅层内,从而减小对入射光线的反射,通过设置反射层将穿透能力强的光线反射回发电区,以上共同作用有效增大了太阳能电池组的发电效率。
作为优选,所述栅线层包括由多根互相平行的栅线组成的第一栅线组和由多根互相平行的栅线组成第二栅线组,所述的第一栅线组的栅线和的第二栅线组的栅线两两交叉设置构成网状结构。
作为优选,所述背板包括外层保护层、PET聚酯薄膜和内层薄膜;所述外层保护层采用PVE或PVDF制成,所述内层薄膜采用PE或PEVA制成。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:通过设置聚光板增大入射光线的量,通过设置增透膜增大光线的透射效率,通过将栅线层埋设在掺杂硅层内,从而减小对入射光线的反射,通过设置反射层将穿透能力强的光线反射回发电区,以上共同作用有效增大了太阳能电池组的发电效率。
附图说明
图1是电池组件主体的层叠结构。
图2是背板的剖面图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做一个详细的说明。
如图1~图2所示的一种光伏组件封装结构,包括边框(图上未标识)、钢化玻璃1、电池板2、背板4以及设置在背板上的接线盒(图上未标识),钢化玻璃1、电池板2和背板4从上至下顺序连接成一层状结构,且该层状结构包裹在边框内,钢化玻璃1通过EVA粘结在电池板2的上表面,在钢化玻璃 1和电池板2之间设置有增透膜5。背板4通过EVA粘结在电池板2的下表面;电池板2包括栅线层21和基体层22,基体层22由上到下依次为掺杂硅层221、衬底硅层222和电极层223,掺杂硅层221和衬底硅层222接触设置,栅线层 21埋设在掺杂硅层221内,衬底硅层222和电极层223之间设置有反射层6。
栅线层21包括由多根互相平行的栅线组成的第一栅线组211和由多根互相平行的栅线组成第二栅线组212,的第一栅线组211的栅线和的第二栅线组 212的栅线两两交叉设置构成网状结构。
背板4包括外层保护层41、PET聚酯薄膜42和内层薄膜43;外层保护层 41采用PVE或PVDF制成,内层薄膜43采用PE或PEVA制成。
本说明书中所描述的以上内容仅仅是对本实用新型所作的举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,只要不偏离本实用新型说明书的内容或者超越本权利要求书所定义的范围,均应属于本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的