[实用新型]一种稳定镓源反应器有效
申请号: | 201720629599.4 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN207031602U | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 特洛伊·乔纳森·贝克;王颖慧 | 申请(专利权)人: | 镓特半导体科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C30B25/14 | 分类号: | C30B25/14;C30B29/40 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 姚艳 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稳定 反应器 | ||
1.一种稳定镓源反应器,其特征在于,所述稳定镓源反应器至少包括:
依次叠置的至少两层反应层;
位于相邻两层反应层之间的气体通道;
位于最上层反应层的顶端的进气管道;以及,
位于最下层反应层的底端的出气管道。
2.根据权利要求1所述的稳定镓源反应器,其特征在于,相邻两个所述气体通道相对设置在所述稳定镓源反应器的两侧。
3.根据权利要求2所述的稳定镓源反应器,其特征在于,所述气体通道的两端分别伸入相邻两层反应层内,所述气体通道的顶端伸入相邻两层反应层中位于上层的反应层内的高度为该位于上层的反应层高度的1/4~3/4。
4.根据权利要求2所述的稳定镓源反应器,其特征在于,所述气体通道的底端伸入相邻两层反应层中位于下层的反应层内的高度不大于该位于下层的反应层高度的1/2。
5.根据权利要求1所述的稳定镓源反应器,其特征在于,所述出气管道的顶端伸入所述最下层反应层内。
6.根据权利要求5所述的稳定镓源反应器,其特征在于,所述出气管道的顶端伸入所述最下层反应层内的高度为所述最下层反应层高度的1/4~3/4。
7.根据权利要求1所述的稳定镓源反应器,其特征在于,所述出气管道的出口处设有封端,所述封端上开设有至少一个出气孔。
8.根据权利要求7所述的稳定镓源反应器,其特征在于,所述出气孔的数量为1-30个。
9.根据权利要求1所述的稳定镓源反应器,其特征在于,所述出气管道的内壁向内收缩形成一缩颈结构。
10.根据权利要求1所述的稳定镓源反应器,其特征在于,所述稳定镓源反应器还包括:位于相邻两层反应层之间的支撑柱,相同两层反应层之间的支撑柱和气体通道相对设置在所述稳定镓源反应器的两侧。
11.根据权利要求1所述的稳定镓源反应器,其特征在于,所述进气管道与顶端伸入所述最上层反应层内的气体通道相对设置在所述稳定镓源反应器的两侧。
12.根据权利要求1所述的稳定镓源反应器,其特征在于,所述反应层的层数为2~10层,每层反应层的高度为1~10cm。
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