[实用新型]一种X射线探测器芯片光敏面宽度结构有效
申请号: | 201720628067.9 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN207217556U | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 董自勇 | 申请(专利权)人: | 江苏尚飞光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 226017 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射线 探测器 芯片 光敏 宽度 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及探测器技术领域,具体为一种X射线探测器芯片光敏面宽度结构。
背景技术
目前安检机内部使用的X射线探测器芯片光敏面的间隔有1.575mm和 2.54mm两种,早期的安检机设备使用2.54mm间距的较多,近几年来,随着对成像质量要求的逐步提高,越来越多的安检机探测器的光敏面间隔开始使用 1.575mm间距。
对X射线探测器芯片光敏面的长宽尺寸没有具体要求,在使用过程中只注重实际成像质量的好坏,但芯片光敏面的长宽尺寸的设计尤其是宽度尺寸的设计还是会对探测器的探测响应度产生直接的影响的。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种X射线探测器芯片光敏面宽度结构,以解决上述背景技术中提出的目前对X射线探测器芯片光敏面的长宽尺寸没有具体要求,在使用过程中只注重实际成像质量的好坏,但芯片光敏面的长宽尺寸的设计尤其是宽度尺寸的设计还是会对探测器的探测响应度产生直接的影响的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种X射线探测器芯片光敏面宽度结构,包括探测器芯片光敏面(1)和探测芯片(2),所述探测芯片(2)的表面等间距排列有16个探测器芯片光敏面(1),且每两处探测器芯片光敏面(1)中心距之间形成一个像素间距,且间距距离为1.575毫米;所述探测器芯片光敏面(1)的宽度范围为0.5-1.5毫米。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型“探测器芯片光敏面的宽度范围为0.5-1.5毫米”的设置,使得当芯片光敏面宽度的设计范围在0.5mm~1.5mm之间时,探测器有较好的探测响应度,并且像素之间的串扰也比较小,减小了探测器芯片光敏面的宽度在1.5mm~1.575mm范围时,由于像素之间间距太小,相互之间尤其是相邻像素之间串扰严重,成像清晰度大大下降的问题。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图中:1、探测器芯片光敏面,2、探测芯片。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步描述:
实施例:
如附图1所示:
本实用新型提供一种技术方案:一种X射线探测器芯片光敏面宽度结构,包括探测器芯片光敏面1和探测芯片2,探测芯片2的表面等间距排列有16 个探测器芯片光敏面1,每两处探测器芯片光敏面1中心距之间形成一个像素间距,且间距距离为1.575毫米,这个距离为定值,如图1所示,用“d1”表示,探测器芯片光敏面1的宽度范围为0.5-1.5毫米,使长度范围可根据实际要求合理设计,考虑到实际测试成像效果的着重点的不同要求,可适当变换不同的探测器芯片光敏面1宽度设计,如对响应度要求较高,则宽度可适当放大些,如对串扰要求较高,则降低设计宽度,探测器芯片光敏面1的宽度,如图1所示,用“d”表示。
工作原理:该X射线探测器芯片光敏面宽度结构,如图1所示,在探测芯片2的表面等间距排列有16个探测器芯片光敏面1,每两个探测器芯片光敏面1之间的中心距离为1.575毫米,此距离为越来越多的安检机探测器的光敏面间隔使用的常规间距,而本设计中通过使探测器芯片光敏面1的宽度尺寸在0.5-1.5毫米之间进行波动,代替了原有的常规探测器芯片光敏面1 的宽度在1.5mm~1.575mm的波动范围,使得探测器有较好的探测响应度,并且减小了像素之间的串扰。
综上所述,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的