[实用新型]集成电路抗地弹干扰复位电路有效

专利信息
申请号: 201720617195.3 申请日: 2017-05-30
公开(公告)号: CN206850747U 公开(公告)日: 2018-01-05
发明(设计)人: 施红妹;张珂 申请(专利权)人: 施红妹;张珂
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 石家庄德皓专利代理事务所(普通合伙)13129 代理人: 齐军彩,杨瑞龙
地址: 226000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 干扰 复位 电路
【权利要求书】:

1.集成电路抗地弹干扰复位电路,包括控制电路,其特征在于,还包括抑制地弹噪声电路、复位电路;

所述抑制地弹噪声电路与复位电路连接,对复位信号做抗地弹效应处理;

所述复位电路与控制电路连接,提供抗地弹效应的复位信号,保证控制电路正常复位。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述控制电路为OMAP3630。

3.根据权利要求1或2所述的电路,其特征在于,所述复位电路包括分压器、第一电容(C1)、反相器74LS04,所述分压器由第一电阻(R1)、第二电阻(R2)组成,所述第一电容(C1)一端接地,另一端与第二电阻(R2)的一端电连接,所述第一电阻(R1)一端连接外部电源、控制电路电源管脚,另一端与第二电阻(R2)、反相器74LS04电连接,第一电阻(R1)还与抑制地弹噪声电路并联连接,反相器74LS04输出复位信号至控制电路。

4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述抑制地弹噪声电路包括肖特基二极管IN5818、第三电阻(R3)、第二电容(C2),所述肖特基二极管IN5818与第三电阻(R3)电连接,串联的肖特基二极管IN5818、第三电阻(R3)与第二电容(C2)并联电连接。

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