[实用新型]一种新型真空自耗炉有效

专利信息
申请号: 201720612986.7 申请日: 2017-05-31
公开(公告)号: CN206858631U 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 邬亨强;周建林;谭志荣;赖洪兵 申请(专利权)人: 龙南新晶钛业有限公司
主分类号: C22B9/21 分类号: C22B9/21
代理公司: 南昌赣专知识产权代理有限公司36129 代理人: 刘锦霞,张文宣
地址: 341700 *** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 真空
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及自耗炉领域,具体为一种新型真空自耗炉。

背景技术

真空自耗炉是在真空环境中利用电弧作为热源熔炼金属的一种电炉,主要用于熔炼难熔金属及稀有金属,尤其是在钛合金熔炼领域中应用非常广泛。真空自耗炉为内置坩埚的炉体,坩埚外设有冷却水室,该冷却水室主要用于对坩埚内温度的控制,而现有技术的冷却水室利用率不高,需要冷却水保持较高的循环速度,这样导致额外的能源消耗增加,为此我们提出一种新型真空自耗炉用于解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型真空自耗炉,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种新型真空自耗炉,包括炉体,所述炉体内设有紫铜结晶器,所述紫铜结晶器内设有自耗电极,所述紫铜结晶器外侧固定设有冷却炉,所述冷却炉内设有冷却腔,所述冷却腔内设有半导体制冷芯片,所述冷却炉和炉体之间设有水冷腔,所述水冷腔的上端连通设有冷却水出口端,水冷腔底端连通设有冷却水进口端,且水冷腔内的炉体内壁上设有外水冷环,所述冷却炉的外壁上设有内水冷环。

优选的,所述冷却炉的内壁和紫铜结晶器的外壁存在空隙,该空隙内设有冷却液,且冷却液的液面低于半导体制冷芯片的底端,且冷却炉的炉壁为导热铝片结构。

优选的,所述外水冷环为环状结构,其外径等于炉体内径,内径大于冷却炉的外径,所述内水冷环为环状结构,其外径大于外水冷环的内径,且小于外水冷环的外径,该内水冷环的内径等于冷却炉的外径。

优选的,所述外水冷环和内水冷环的数量均为四个,其两两交替设置在水冷腔内,且外水冷环和内水冷环上均设有透水孔。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型结构冷却水通过冷却水进口端进入水冷腔内,外水冷环和内水冷环两两交替设置在水冷腔内,从而增加冷却水的流动性,使其的冷却效果得到尽可能的利用,同时通过透水孔使水流流动性增强,在冷却腔设置的半导体制冷芯片在通电情况下可进行制冷工作,进一步降低冷却腔的温度,并且便于控制温度的变化,冷却水从冷却水出口端排出,重新冷却后循环利用。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

图2为本实用新型炉体结构示意图。

图中:1炉体、2紫铜结晶器、3自耗电极、4水冷腔、5冷却水出口端、 6冷却水进口端、7冷却炉、71冷却腔、8半导体制冷芯片、91内水冷环、92 外水冷环、10透水孔。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或结构必须具有的特定方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

请参阅图1-2,本实用新型提供一种技术方案:一种新型真空自耗炉,包括炉体1,炉体1内设有紫铜结晶器2,紫铜结晶器2内设有自耗电极3,紫铜结晶器2外侧固定设有冷却炉7,冷却炉7内设有冷却腔71,冷却腔71内设有半导体制冷芯片8,冷却炉7的内壁和紫铜结晶器2的外壁存在空隙,该空隙内设有冷却液,且冷却液的液面低于半导体制冷芯片8的底端,且冷却炉7的炉壁为导热铝片结构,在冷却腔71设置的半导体制冷芯片8在通电情况下可进行制冷工作,进一步降低冷却腔71的温度,并且便于控制温度的变化。

冷却炉7和炉体1之间设有水冷腔4,水冷腔4的上端连通设有冷却水出口端5,水冷腔4底端连通设有冷却水进口端6,且水冷腔4内的炉体1内壁上设有外水冷环92,冷却炉7的外壁上设有内水冷环91。

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