[实用新型]一种拼接式的干法刻蚀设备有效
| 申请号： | 201720601522.6 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN207021234U | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 李东滨;黎培朝 | 申请（专利权）人： | 广东瑞芯源技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 528251 广东省佛山市南海区桂城街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 拼接 刻蚀 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种拼接式的干法刻蚀设备，包括有设置于反应腔（1）内的多个托盘单元（21）、以及至少一个用于放置被刻蚀件的安装座（3），其特征在于：多个所述托盘单元（21）组合拼接成固定托盘（2），其中，多个所述托盘单元（21）组合成型有至少一个供安装座（3）相配合安装的安装槽；所述多个托盘单元（21）组合拼接以将安装座（3）及放置于安装座（3）顶面上的被刻蚀固定安装于安装槽中。
2.根据权利要求1所述的一种拼接式的干法刻蚀设备，其特征那在于：所述被刻蚀件为晶圆。
3.根据权利要求1所述的一种拼接式的干法刻蚀设备，其特征那在于：还包括有真空发生器（4），其中，所述真空发生器（4）与反应腔（1）预设有真空抽气口（11）相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
