[实用新型]一种太阳能电池有效
申请号: | 201720595860.3 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN207038534U | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 徐慷;李洋;唐旭东 | 申请(专利权)人: | 安徽理工大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0216 |
代理公司: | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙)34124 | 代理人: | 王志兴 |
地址: | 23200*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池。
背景技术
太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”,是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被满足一定照度条件的光照到,瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏(Photovoltaic,缩写为PV),简称光伏。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。现有的太阳能电池普遍光能吸收差,效率低,基于此,现研究一种太阳能电池,很好的解决了这个问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供了一种太阳能电池。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种太阳能电池,包括基板,所述基板上表面设有正金字塔型吸收光结构。
作为本实用新型的优选方式之一,所述正金字塔型吸收光结构为若干个均匀分布于基板上端且表面为热氧化钝化硅。
作为本实用新型的优选方式之一,所述正金字塔型吸收光结构包括氟化镁反射层,所述氟化镁反射层位于正金字塔型吸收光结构表面。
作为本实用新型的优选方式之一,还包括硫化锌反射层,所述硫化锌反射层位于氟化镁反射层下部。
作为本实用新型的优选方式之一,还包括氧化层,所述氧化层位于氟化镁反射层下部。
作为本实用新型的优选方式之一,所述基板为N型硅基板。
作为本实用新型的优选方式之一,所述基板上端设有非晶硅薄膜层。
作为本实用新型的优选方式之一,所述基板下端设有非晶硅薄膜层。
作为本实用新型的优选方式之一,所述基板上端设有双上电极,下端设有对应的双背电极。
作为本实用新型的优选方式之一,所述双上电极与双背电极均分别埋入基板上端与下端狭窄槽内。
本实用新型相比现有技术的优点在于:本实用新型采用金字塔结构增加吸收光线的效率,搭配氟化镁与硫化锌双重反射层的涂布来增加光线吸收,可增加3%的电流,基板上下两端设有非晶硅薄膜层避免移动载流子在边界复合,提高转换效率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面对本实用新型的实施例作详细说明,本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。
参见图1:一种太阳能电池,包括基板(1),所述基板(1)上表面设有正金字塔型吸收光结构(2),增加吸收光的效率。
作为本实用新型的优选方式之一,所述正金字塔型吸收光结构(2)为若干个均匀分布于基板(1)上端且表面为热氧化钝化硅,进一步提高吸收光的效率。
作为本实用新型的优选方式之一,所述正金字塔型吸收光结构(2)包括氟化镁反射层(201),所述氟化镁反射层(201)位于正金字塔型吸收光结构(2)表面,增加光线吸收。
作为本实用新型的优选方式之一,还包括硫化锌反射层(202),所述硫化锌反射层(202)位于氟化镁反射层(201)下部,增加光线吸收。
作为本实用新型的优选方式之一,还包括氧化层(203),所述氧化层(203)位于氟化镁反射层(201)下部,提高转换效率,降低反向饱和电流。
作为本实用新型的优选方式之一,所述基板(1)为N型硅基板。
作为本实用新型的优选方式之一,所述基板(1)上端设有非晶硅薄膜层(3)。
作为本实用新型的优选方式之一,所述基板(1)下端设有非晶硅薄膜层(3)。
作为本实用新型的优选方式之一,所述基板(1)上端设有双上电极(4),下端设有对应的双背电极(5)。
作为本实用新型的优选方式之一,所述双上电极(4)与双背电极(5)均分别埋入基板(1)上端与下端狭窄槽内。
本实用新型采用金字塔结构增加吸收光线的效率,搭配氟化镁与硫化锌双重反射层的涂布来增加光线吸收,可增加3%的电流,基板上下两端设有非晶硅薄膜层避免移动载流子在边界复合,提高转换效率。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的