[实用新型]一种增强散热性能的IC封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路封装制造领域，特别涉及一种增强散热性能的IC封装结构。

背景技术

目前，电子元器件的应用遍布于人类生活的角角落落，芯片集成度的发展也是日新月异，目标均是向集成度更高，运行更快，体积更小，功耗更低的方向发展，芯片随着连续运行时间变长，发热量会逐渐增多，散热效果是必须考虑的问题，如果芯片产生的热量不能及时很好散发掉则对芯片的性能和稳定性会有所影响，对芯片结构也会产生破坏，芯片的散热性能改善除了从芯片封装材料材质方面出发外，考虑在目前芯片体积及封装材料不变的基础上增加芯片和外界的接触面积来提高散热性能。

实用新型内容

本实用新型为了解决现有技术的问题，提供了一种通过增加芯片与外界接触的面积来提升IC芯片均匀散热性的增强散热性能的IC封装结构。

本实用新型的具体技术方案如下：一种增强散热性能的IC封装结构，包括IC芯片，所述IC芯片包括基板，长方形祼晶，多排均匀分布在基板底面的锡球和树脂塑封壳体，所述祼晶设置在基板的上方且长方形祼晶的一侧或多侧设有键合线，其通过键合线连接在基板上，所述树脂塑封壳体设在基板上且长方形祼晶封装在树脂塑封壳体内，所述树脂塑封壳体的顶面设有多排凸块条，所述多排凸块条之间设有沟槽，所述多排凸块条均包括了多个长方形凸块，所述多个长方形凸块之间呈等距离间隔设置且形成了长方形槽体。

作为优选方案，所述多个长方形凸块在每排凸块条至少设有九个，从左至右分别为第一至第九凸块。

作为优选方案，所述多排均匀分布在基板底面的锡球均包括多个半圆形的锡球。

作为优选方案，所述多个半圆形的锡球在每排至少设有七个，所述七个半圆形的锡球之间的间距相等，从左至右分别为第一至第六锡球。

作为优选方案，所述锡球包括有铅锡球和无铅锡球。

作为优选方案，所述长方形祼晶封装在基板的中间位置，其位于第二凸块与第六凸块的下方和第二锡球与第五锡球的上方。

本实用新型的技术效果：本实用新型在不增加芯片体积基础上增加表面积提升散热性能，同时这种表面沟槽装结构也有利于减小IC芯片顶面应力，降低芯片翘曲度，该新型结构适用于各种封装形式，具有均匀散热的作用。

附图说明

图1和图2是本实用新型的增强散热性能的IC封装结构的结构示意图。

图3是本实用新型增强散热性能的IC封装结构的侧面剖视图。

图中：基板1，长方形祼晶2，锡球3，第二锡球32，第五锡球35，键合线4，树脂塑封壳体5，凸块条6，长方形凸块61，第二凸块62，第六凸块66，沟槽7，长方形槽体8，IC芯片100。

具体实施方式

下面，结合实例对本实用新型的实质性特点和优势作进一步的说明，但本实用新型并不局限于所列的实施例。

如图1至图3所示，一种增强散热性能的IC封装结构，包括IC芯片100，所述IC芯片100包括基板1，长方形祼晶2，多排均匀分布在基板1底面的锡球3和树脂塑封壳体5，基板为基板就是覆铜箔层压板，可进行有孔加工，基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装，所述长方形祼晶2设置在基板1的上方且长方形祼晶2的一侧或多侧设有键合线4，长方形祼晶2通过键合线4连接在基板1上，所述树脂塑封壳体5设在基板1上且长方形祼晶2封装在树脂塑封壳体5内，所述树脂塑封壳体5的顶面设有多排凸块条6，所述多排凸块条6之间设有沟槽7，所述多排凸块条6均包括了多个长方形凸块61，所述多个长方形凸块61之间呈等距离间隔设置且形成了长方形槽体8。通过增加芯片与外界接触的面积来提升芯片的散热性能。

所述多个长方形凸块61在每排凸块条6至少设有九个，从左至右分别为第一至第九凸块，从而能顶面均匀散热，其可根据需要设置为若干个。

所述多排均匀分布在基板1底面的锡球3均包括多个半圆形的锡球3，BGA封装用焊接锡球，BGA精密封装方式，将促进产品达到更高效率、更高品质、更高产能之完整性，尤其锡球具备较佳的散热性，同时能使封装产品薄型化，及缩小封装区，且能缩短接合点距离以提高电子特性。而且锡球无需弯曲引脚，从而提升产品组装优良率。

所述多个半圆形的锡球3在每排至少设有七个，所述七个半圆形的锡球之间的间距相等，从左至右分别为第一至第六锡球，从而能底面均匀散热，其可根据需要设置为若干个。

所述锡球3包括有铅锡球和无铅锡球，有铅锡球的材质为锡铅，无铅锡球的材质为锡银铜。