[实用新型]一种单相自恢复式过欠压保护器有效
| 申请号: | 201720584036.8 | 申请日: | 2017-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN206727635U | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
| 发明(设计)人: | 汪小娟;何化敏;王振坤;徐元亮;张红伟;李柏 | 申请(专利权)人: | 浙江天正电气股份有限公司 |
| 主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20;H02H3/24 |
| 代理公司: | 温州金瓯专利事务所(普通合伙)33237 | 代理人: | 王坚强 |
| 地址: | 325604 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 单相 恢复 保护 | ||
1.一种单相自恢复式过欠压保护器,包括下壳体(1)与上盖(2),所述的下壳体(1)与上盖(2)间可拆卸连接,所述的下壳体(1)内设有电路板(3)与继电器(4),其特征在于,所述下壳体(1)内设有用于安装电路板(3)的电路板安装区域(5)、用于安装继电器(4)的继电器安装区域,所述的电路板(3)安装在电路板安装区域(5)内,所述的继电器安装区域由隔离电路板安装区域(5)和继电器安装区域的围挡(6)和隔离继电器(4)引脚的挡板(7)组成,所述的围挡(6)上形成有可安装继电器限位片的第一凹槽(61),所述的上盖(2)上设有可安装继电器限位片的第二凹槽(62)。
2.根据权利要求1所述的一种单相自恢复式过欠压保护器,其特征在于,所述的继电器安装区域包括有第一安装区域(8),所述的继电器(4)安装在第一安装区域(8)内,所述的第一凹槽(61)位于第一安装区域(8)与围挡(6)的连接处,所述的第二凹槽(62)位于与第一安装区域(8)对应位置的上盖(2)处。
3.根据权利要求2所述的一种单相自恢复式过欠压保护器,其特征在于,所述的第一凹槽(61)内设有限位继电器(4)水平方向和翻转的水平限位片(63),所述的第二凹槽(62)内设有限位继电器(4)竖直方向的纵向限位片(64),所述的水平限位片(63)和纵向限位片(64)与继电器(4)限位配合。
4.根据权利要求1所述的一种单相自恢复式过欠压保护器,其特征在于,所述的继电器安装区域还包括有位于围挡(6)上的第二安装区域(9),所述的继电器(4)位于第二安装区域(9),所述的继电器(4)与电路板(3)焊接连接。
5.根据权利要求1所述的一种单相自恢复式过欠压保护器,其特征在于,所述的继电器安装区域包括有第一安装区域(8),所述的继电器(4)安装在第一安装区域(8)内,所述的围挡(6)与继电器(4)限位配合,所述的第一凹槽(61)的一侧还设有凸台(65),所述的凸台(65)与继电器(4)限位配合。
6.根据权利要求1所述的一种单相自恢复式过欠压保护器,其特征在于,所述的上盖(2)上与电路板安装区域(5)对应的位置上还设有固定块(21),所述的固定块(21)中间设有安装槽(22),所述的电路板(3)的上端卡接在安装槽(22)内与固定块(21)限位配合。
7.根据权利要求1所述的一种单相自恢复式过欠压保护器,其特征在于,所述的下壳体(1)上设有卡勾(11),所述的上盖(2)上设有与卡勾(11)适配的卡槽(23),所述的上盖(2)和下壳体(1)通过卡勾(11)与卡槽(23)连接。
8.根据权利要求1所述的一种单相自恢复式过欠压保护器,其特征在于,所述的下壳体(1)和上盖(2)上的周侧均设有若干插齿(12),相邻的插齿(12)间形成有插槽,所述的下壳体(1)和上盖(2)上的插齿(12)相互交错插接配合。
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