[实用新型]同位素生产装置有效

专利信息
申请号: 201720581580.7 申请日: 2017-05-23
公开(公告)号: CN207800158U 公开(公告)日: 2018-08-31
发明(设计)人: F·斯蒂谢尔博 申请(专利权)人: 离子束应用股份有限公司
主分类号: G21G1/00 分类号: G21G1/00
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 武娟;郑霞
地址: 比利时*** 国省代码: 比利时;BE
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摘要:
搜索关键词: 同位素生产 屏蔽 本实用新型 回旋加速器 粒子束 公共区域 原子序数 装置定位 靶系统 第一层 剂量率 自屏蔽 包围 外部
【权利要求书】:

1.同位素生产装置,包括:

a)用于生产粒子束的回旋加速器(10);

b)包围所述回旋加速器的屏蔽(40);

c)包括在所述屏蔽(40)内的靶(20)系统;

其特征在于,所述屏蔽包括

1)第一层(80),所述第一层(80)包含石蜡或聚乙烯或水;

2)第二层(90),所述第二层(90)包含填充有铁球和水的体积,该水填充这些铁球之间的开放空间。

2.根据权利要求1所述的同位素生产装置,其特征在于,该第二层(90)的厚度与该第一层(80)的厚度的比率包括在1与2之间。

3.根据权利要求1或2所述的同位素生产装置,其特征在于,所述第一层(80)具有包括在25cm与30cm之间的厚度。

4.根据权利要求1或2所述的同位素生产装置,其特征在于,所述第二层(90)具有包括在50cm与60cm之间的厚度。

5.根据权利要求3所述的同位素生产装置,其特征在于,所述第二层(90)具有包括在50cm与60cm之间的厚度。

6.根据权利要求1-2和5中任一项所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,并且其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有与该中央轴线Z同心的圆形几何形状。

7.根据权利要求3所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,并且其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有与该中央轴线Z同心的圆形几何形状。

8.根据权利要求4所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,并且其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有与该中央轴线Z同心的圆形几何形状。

9.根据权利要求1-2和5中任一项所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有内切于与该中央轴线Z同心的正方形中的几何形状,并且其中所述屏蔽(40)包括邻近所述正方形的四个侧壁以及覆盖所述四个侧壁的顶部(130)。

10.根据权利要求3所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有内切于与该中央轴线Z同心的正方形中的几何形状,并且其中所述屏蔽(40)包括邻近所述正方形的四个侧壁以及覆盖所述四个侧壁的顶部(130)。

11.根据权利要求4所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有内切于与该中央轴线Z同心的正方形中的几何形状,并且其中所述屏蔽(40)包括邻近所述正方形的四个侧壁以及覆盖所述四个侧壁的顶部(130)。

12.根据权利要求9所述的同位素生产装置,其特征在于,所述靶(20)系统包括一个靶(20)或两个靶(20),所述靶(20)是在围绕最接近侧壁的中央轴线Z的方位角处,邻近靶的侧壁(110)具有比非邻近靶的侧壁(120)更高的厚度。

13.根据权利要求10或11所述的同位素生产装置,其特征在于,所述靶(20)系统包括一个靶(20)或两个靶(20),所述靶(20)是在围绕最接近侧壁的中央轴线Z的方位角处,邻近靶的侧壁(110)具有比非邻近靶的侧壁(120)更高的厚度。

14.根据权利要求9所述的同位素生产装置,其特征在于,在所述侧壁对之间和/或在所述侧壁与所述顶部(130)之间的外角被切断。

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