[实用新型]同位素生产装置有效
| 申请号: | 201720581580.7 | 申请日: | 2017-05-23 |
| 公开(公告)号: | CN207800158U | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
| 发明(设计)人: | F·斯蒂谢尔博 | 申请(专利权)人: | 离子束应用股份有限公司 |
| 主分类号: | G21G1/00 | 分类号: | G21G1/00 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 武娟;郑霞 |
| 地址: | 比利时*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 同位素生产 屏蔽 本实用新型 回旋加速器 粒子束 公共区域 原子序数 装置定位 靶系统 第一层 剂量率 自屏蔽 包围 外部 | ||
1.同位素生产装置,包括:
a)用于生产粒子束的回旋加速器(10);
b)包围所述回旋加速器的屏蔽(40);
c)包括在所述屏蔽(40)内的靶(20)系统;
其特征在于,所述屏蔽包括
1)第一层(80),所述第一层(80)包含石蜡或聚乙烯或水;
2)第二层(90),所述第二层(90)包含填充有铁球和水的体积,该水填充这些铁球之间的开放空间。
2.根据权利要求1所述的同位素生产装置,其特征在于,该第二层(90)的厚度与该第一层(80)的厚度的比率包括在1与2之间。
3.根据权利要求1或2所述的同位素生产装置,其特征在于,所述第一层(80)具有包括在25cm与30cm之间的厚度。
4.根据权利要求1或2所述的同位素生产装置,其特征在于,所述第二层(90)具有包括在50cm与60cm之间的厚度。
5.根据权利要求3所述的同位素生产装置,其特征在于,所述第二层(90)具有包括在50cm与60cm之间的厚度。
6.根据权利要求1-2和5中任一项所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,并且其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有与该中央轴线Z同心的圆形几何形状。
7.根据权利要求3所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,并且其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有与该中央轴线Z同心的圆形几何形状。
8.根据权利要求4所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,并且其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有与该中央轴线Z同心的圆形几何形状。
9.根据权利要求1-2和5中任一项所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有内切于与该中央轴线Z同心的正方形中的几何形状,并且其中所述屏蔽(40)包括邻近所述正方形的四个侧壁以及覆盖所述四个侧壁的顶部(130)。
10.根据权利要求3所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有内切于与该中央轴线Z同心的正方形中的几何形状,并且其中所述屏蔽(40)包括邻近所述正方形的四个侧壁以及覆盖所述四个侧壁的顶部(130)。
11.根据权利要求4所述的同位素生产装置,其特征在于,所述回旋加速器(10)包括具有中央轴线Z的磁体,其中垂直于所述磁体的外表面的中央轴线Z的横截面具有内切于与该中央轴线Z同心的正方形中的几何形状,并且其中所述屏蔽(40)包括邻近所述正方形的四个侧壁以及覆盖所述四个侧壁的顶部(130)。
12.根据权利要求9所述的同位素生产装置,其特征在于,所述靶(20)系统包括一个靶(20)或两个靶(20),所述靶(20)是在围绕最接近侧壁的中央轴线Z的方位角处,邻近靶的侧壁(110)具有比非邻近靶的侧壁(120)更高的厚度。
13.根据权利要求10或11所述的同位素生产装置,其特征在于,所述靶(20)系统包括一个靶(20)或两个靶(20),所述靶(20)是在围绕最接近侧壁的中央轴线Z的方位角处,邻近靶的侧壁(110)具有比非邻近靶的侧壁(120)更高的厚度。
14.根据权利要求9所述的同位素生产装置,其特征在于,在所述侧壁对之间和/或在所述侧壁与所述顶部(130)之间的外角被切断。
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