[实用新型]一种升压控制电路有效
| 申请号： | 201720580170.0 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN206820654U | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 叶浩 | 申请（专利权）人： | 厦门亿加凌电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/156 | 分类号： | H02M3/156 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司35203 | 代理人： | 渠述华 |
| 地址： | 361006 福建省厦门市湖*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 升压 控制电路 | ||
1.一种升压控制电路，其特征在于：包括升压芯片U1、控制芯片MCU、电感L1、二极管D1、MOS管Q1、反馈电阻R1、反馈电阻R2、检测电阻R3、USB母头, 所述控制芯片MCU具有A/D转换器；
所述升压芯片U1的输入端VIN用于与锂电池的输出正极BAT连接，所述升压芯片U1的输入端VIN与电感L1的一端连接，电感L1的另一端与升压芯片U1的输出端OUT相连；所述升压芯片U1的使能端EN与控制芯片MCU的通用I/O口PA1相连；所述升压芯片U1的输出端OUT连接二极管D1的阳极，二极管D1的阴极与USB母头的VCC脚相连；所述USB母头的VCC脚与反馈电阻R2的一端连接，反馈电阻R2的另一端与升压芯片U1的电压反馈端FB连接，反馈电阻R2的另一端还与反馈电阻R1的一端连接，反馈电阻R1的另一端与MOS管Q1的漏极连接，MOS管Q1的栅极与控制芯片MCU的通用I/O口PA1相连，MOS管Q1的源极接地；所述检测电阻R3的检测端与USB母头的GND脚相连，检测电阻R3的检测端还与控制芯片MCU的ADC输入脚AN0相连，检测电阻R3的另一端接地。
2.如权利要求1所述的一种升压控制电路，其特征在于：所述控制芯片MCU为HT45F4N。
3.如权利要求1所述的一种升压控制电路，其特征在于：所述检测电阻R3的阻值为0.05欧姆。
4.如权利要求1所述的一种升压控制电路，其特征在于：所述MOS管Q1为N沟道增强型MOS管。
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