[实用新型]像素阵列有效
申请号: | 201720580043.0 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN206758436U | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | M·米利纳尔;T·格蒂斯 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列,所述像素阵列包括多个图像像素,其中所述像素阵列中的图像像素包括:
内部子像素组,所述内部子像素组包括至少一个子像素并且表现出第一光敏度;和
外部子像素组,所述外部子像素组包括至少一个子像素并且表现出大于所述第一光敏度的第二光敏度,其中所述内部子像素组嵌套在所述外部子像素组内,并且其中所述内部子像素组和所述外部子像素组中的至少一者包括第一子像素和第二子像素,所述第一子像素和所述第二子像素中的每个具有对入射光的不对称角度响应并且被配置为产生相位检测数据。
2.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述外部子像素组具有第一几何中心,并且其中所述内部子像素组具有与所述第一几何中心相同的第二几何中心。
3.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述外部子像素组包括所述第一子像素和所述第二子像素,并且其中所述第一子像素和所述第二子像素水平地相邻。
4.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述内部子像素组包括所述第一子像素和所述第二子像素,并且其中所述第一子像素和所述第二子像素水平地相邻。
5.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述外部子像素组包括所述第一子像素和所述第二子像素,并且其中所述内部子像素组包括第三子像素和第四子像素,所述第三子像素和所述第四子像素中的每个具有对入射光的不对称角度响应并且被配置为产生附加相位检测数据。
6.根据权利要求5所述的像素阵列,其中所述第一子像素和所述第二子像素具有与所述第三子像素和所述第四子像素相同的取向。
7.根据权利要求5所述的像素阵列,其中所述第一子像素和所述第二子像素具有与所述第三子像素和所述第四子像素不同的取向。
8.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述像素阵列中的附加成像像素包括:
附加内部子像素组,所述附加内部子像素组包括至少一个子像素并且表现出所述第一光敏度;和
附加外部子像素组,所述附加外部子像素组包括至少一个子像素并且表现出大于所述第一光敏度的所述第二光敏度,其中所述附加内部子像素组嵌套在所述附加外部子像素组内,并且其中所述附加内部子像素组和所述附加外部子像素组中的至少一者包括第三子像素和第四子像素,所述第三子像素和所述第四子像素中的每个具有对入射光的不对称角度响应并且被配置为产生附加相位检测数据。
9.一种像素阵列,所述像素阵列包括多个像素,其中所述多个像素中的每个像素具有采用图案的结构,其中所述图案包括在整个像素阵列上重复的二乘二像素重复单位单元,并且其中所述二乘二像素重复单位单元包括:
第一像素、第二像素、第三像素和第四像素,其中每个像素包括嵌套在外部子像素组内的内部子像素组,其中每个外部子像素组包括被配置为产生相位检测数据的第一外部子像素和第二外部子像素,其中所述第一像素的所述第一外部子像素和所述第二外部子像素水平地相邻,并且其中所述第二像素的所述第一外部子像素和所述第二外部子像素竖直地相邻。
10.一种像素阵列,所述像素阵列包括多个像素,其中所述多个像素中的每个像素具有采用图案的结构,其中所述图案包括在整个像素阵列上重复的二乘四像素重复单位单元,并且其中所述二乘四像素重复单位单元包括:
第一二乘二像素组,其中所述第一二乘二像素组包括左上像素、右上像素、左下像素和右下像素,其中每个像素具有被布置在相应的取向并且被配置为产生相位检测数据的第一子像素和第二子像素;和
与所述第一二乘二像素组相邻的第二二乘二像素组,其中所述第二二乘二像素组包括左上像素、右上像素、左下像素和右下像素,其中每个像素具有被布置在相应的取向并且被配置为产生相位检测数据的第一子像素和第二子像素,并且其中所述第二二乘二像素组中的所述像素的所述取向与所述第一二乘二像素组中的所述像素的所述取向相反。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的