[实用新型]像素阵列有效

专利信息
申请号: 201720580043.0 申请日: 2017-05-24
公开(公告)号: CN206758436U 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: M·米利纳尔;T·格蒂斯 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 申发振
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 阵列
【权利要求书】:

1.一种像素阵列,所述像素阵列包括多个图像像素,其中所述像素阵列中的图像像素包括:

内部子像素组,所述内部子像素组包括至少一个子像素并且表现出第一光敏度;和

外部子像素组,所述外部子像素组包括至少一个子像素并且表现出大于所述第一光敏度的第二光敏度,其中所述内部子像素组嵌套在所述外部子像素组内,并且其中所述内部子像素组和所述外部子像素组中的至少一者包括第一子像素和第二子像素,所述第一子像素和所述第二子像素中的每个具有对入射光的不对称角度响应并且被配置为产生相位检测数据。

2.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述外部子像素组具有第一几何中心,并且其中所述内部子像素组具有与所述第一几何中心相同的第二几何中心。

3.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述外部子像素组包括所述第一子像素和所述第二子像素,并且其中所述第一子像素和所述第二子像素水平地相邻。

4.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述内部子像素组包括所述第一子像素和所述第二子像素,并且其中所述第一子像素和所述第二子像素水平地相邻。

5.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述外部子像素组包括所述第一子像素和所述第二子像素,并且其中所述内部子像素组包括第三子像素和第四子像素,所述第三子像素和所述第四子像素中的每个具有对入射光的不对称角度响应并且被配置为产生附加相位检测数据。

6.根据权利要求5所述的像素阵列,其中所述第一子像素和所述第二子像素具有与所述第三子像素和所述第四子像素相同的取向。

7.根据权利要求5所述的像素阵列,其中所述第一子像素和所述第二子像素具有与所述第三子像素和所述第四子像素不同的取向。

8.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述像素阵列中的附加成像像素包括:

附加内部子像素组,所述附加内部子像素组包括至少一个子像素并且表现出所述第一光敏度;和

附加外部子像素组,所述附加外部子像素组包括至少一个子像素并且表现出大于所述第一光敏度的所述第二光敏度,其中所述附加内部子像素组嵌套在所述附加外部子像素组内,并且其中所述附加内部子像素组和所述附加外部子像素组中的至少一者包括第三子像素和第四子像素,所述第三子像素和所述第四子像素中的每个具有对入射光的不对称角度响应并且被配置为产生附加相位检测数据。

9.一种像素阵列,所述像素阵列包括多个像素,其中所述多个像素中的每个像素具有采用图案的结构,其中所述图案包括在整个像素阵列上重复的二乘二像素重复单位单元,并且其中所述二乘二像素重复单位单元包括:

第一像素、第二像素、第三像素和第四像素,其中每个像素包括嵌套在外部子像素组内的内部子像素组,其中每个外部子像素组包括被配置为产生相位检测数据的第一外部子像素和第二外部子像素,其中所述第一像素的所述第一外部子像素和所述第二外部子像素水平地相邻,并且其中所述第二像素的所述第一外部子像素和所述第二外部子像素竖直地相邻。

10.一种像素阵列,所述像素阵列包括多个像素,其中所述多个像素中的每个像素具有采用图案的结构,其中所述图案包括在整个像素阵列上重复的二乘四像素重复单位单元,并且其中所述二乘四像素重复单位单元包括:

第一二乘二像素组,其中所述第一二乘二像素组包括左上像素、右上像素、左下像素和右下像素,其中每个像素具有被布置在相应的取向并且被配置为产生相位检测数据的第一子像素和第二子像素;和

与所述第一二乘二像素组相邻的第二二乘二像素组,其中所述第二二乘二像素组包括左上像素、右上像素、左下像素和右下像素,其中每个像素具有被布置在相应的取向并且被配置为产生相位检测数据的第一子像素和第二子像素,并且其中所述第二二乘二像素组中的所述像素的所述取向与所述第一二乘二像素组中的所述像素的所述取向相反。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720580043.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top