[实用新型]图像传感器有效
申请号: | 201720573164.2 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN206947348U | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | S·伯萨库尔;U·博提格 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,所述图像传感器具有像素阵列,其中所述像素阵列包括:
收集图像数据的多个像素;
收集相位信息的相位检测像素块,其中所述相位检测像素块包括所述多个像素中的第一像素,其中所述第一像素被第一微透镜覆盖;以及
高动态范围像素块,其中所述高动态范围像素块包括:
所述多个像素中的所述第一像素,其中所述第一像素在第一时间段内接收第一光量;
所述多个像素中的第二像素,其中所述第二像素在所述第一时间段中接收第二光量,其中所述第一光量大于所述第二光量;以及
所述多个像素中的第三像素,其中所述第三像素在所述第一时间段内接收第三光量,其中所述第二光量大于所述第三光量,并且其中覆盖所述第一像素的所述第一微透镜还覆盖所述第三像素的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述高动态范围像素块还包括:
所述多个像素中的第四像素,其中所述相位检测像素块还包括所述第四像素。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述第四像素被第二微透镜覆盖,并且其中所述第二微透镜覆盖所述第四像素并覆盖所述第三像素的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中所述第二像素被第三微透镜覆盖,其中所述第一微透镜覆盖所述多个像素的第一区域,其中所述第三微透镜覆盖所述多个像素的第二区域,并且所述第一区域大于所述第二区域。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中所述高动态范围像素块还包括:
多个滤色器,所述多个滤色器分别覆盖一个像素,其中所述多个滤色器形成于所述高动态范围像素块上方,其中所述多个滤色器中的每一个具有相同的颜色。
6.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述第四像素被所述第一微透镜覆盖,其中所述第一微透镜具有开口,并且其中所述开口位于所述第三像素之上。
7.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述高动态范围像素块还包括:
所述多个像素中的第五像素,其中所述相位检测像素块还包括所述第五像素;并且
所述多个像素中的第六像素,其中所述相位检测像素块还包括所述第六像素,其中所述第五像素被第四微透镜覆盖,并且其中所述第四微透镜覆盖所述第三像素的至少一部分,其中所述第四微透镜覆盖所述第六像素的至少一部分。
8.一种图像传感器,所述图像传感器具有像素阵列,其中所述像素阵列包括:
收集图像数据的多个像素;以及
多个像素块,所述多个像素块分别由所述多个像素的相应子集形成,其中每个像素块被多个微透镜组覆盖,并且其中所述多个微透镜组中的第一微透镜组包括:
第一类型的微透镜,其覆盖每个像素块中的三个像素,其中所述三个像素的第一像素被构造为在一定时间段期间接收第一光量,其中所述三个像素中的第二像素和第三像素被构造为在所述时间段期间接收第二光量和第三光量,其中所述第二光量和所述第三光量大于所述第一光量,并且其中所述第二像素和所述第三像素被构造为产生相位信息。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中所述多个微透镜组中的第二微透镜组包括:
第二类型的微透镜,其覆盖每个像素块中的剩余像素。
10.根据权利要求8所述的图像传感器,其中所述多个微透镜组中的第二微透镜组包括:
第二类型的微透镜和第三类型的微透镜,其覆盖每个像素块中的剩余像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的