[实用新型]一种高密度超小型厚膜晶片电阻

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子元器件技术领域，具体涉及一种高密度超小型厚膜晶片电阻。

背景技术

随着科技的进步，时代的发展及人们对各类电子产品的要求不断提升，近年来，消费者对超小型、高性能、多功能、便携性及可穿戴式电子产品的不断需求，促使各类电子产品趋向于“轻”、“薄”、“短”、“小”的方向飞速发展，从而使得高密度超小型厚膜晶片电阻（型号为01005）得以推广应用。

目前，高密度超小型厚膜晶片电阻的应用越来越广，给设备和工艺带来了挑战，因为高密度超小型厚膜晶片电阻对各种变数更加敏感，细小的变化可能导致非常显著的影响，只有材料、机器、工艺、人员和环境完美的结合才能获得稳健组装工艺和高质量的高密度超小型厚膜晶片电阻。现有技术中的高密度超小型厚膜晶片电阻，在制作过程中，制作精度低，生产材料的利用率低，制作成本较高，且废料会对环境存在影响，如何克服上述的问题，是当前急需解决的。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有的高密度超小型厚膜晶片电阻，制作精度低，生产材料的利用率低，制作成本较高，且废料会对环境存在影响的问题。本实用新型的高密度超小型厚膜晶片电阻，电阻的结构简单，使用方便，具有高密度、超小尺寸，且较低的制作成本，可多个同时制作，同时也满足了客户应用端对高密度超小型厚膜晶片电阻的应用需求，具有良好的应用前景。

为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：

一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的背面两长侧边设置有折条线，所述陶瓷基板的正面两短侧边设置有折粒线，所述折条线和折粒线在空间内相垂直设置，所述陶瓷基板的背面印刷有背面电极，所述陶瓷基板的正面上折粒线的内侧对称印刷有第一正面电极，两片第一正面电极之间印刷有电阻阻体，所述电阻阻体的上表面设置有第一保护层，所述电阻阻体及第一保护层上设置有镭切线, 两片第一正面电极的上表面还设置有第二正面电极，所述第二正面电极用于保护对应的第一正面电极，所述镭切线的上表面设置有第二保护层且覆盖在第一保护层上，位于第一正面电极两侧的陶瓷基板的两侧面分别设置有侧面电极，用于将第一正面电极与背面电极导通。

前述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述陶瓷基板采用氧化铝材质制成。

前述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述背面电极、第一正面电极和侧面电极的表面均镀有镍层，所述镍层的外表面镀有锡层。

前述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述第一正面电极采用银钯材料制成，所述第二正面电极采用树脂银材料制成。

前述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述镍层的厚度为4-15μm。

前述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述锡层的厚度为5-15μm。

前述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述电阻阻体的印刷图形面积为0.020mm²-0.024mm²。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的高密度超小型厚膜晶片电阻，高密度超小型厚膜晶片电阻的制造方法不同于其它元件，更加精确的控制，是应对高密度、超小型、便携式及可穿戴式智能电子产品领域的不断发展而独立自主进行研发的，同时结合现有的生产设备及生产工艺，通过对印刷图形及印刷工艺的调整，最终完成高密度超小型厚膜晶片电阻的制造，可应用于高密度印刷电路板组装领域、耳机、助听器、蓝牙、通讯设备、智能手表、手机射频模块、微型硬盘、可携式内存产品（如SD卡）等电子产品领域，高密度超小型厚膜晶片电阻的结构简单，使用方便，具有高密度、超小尺寸，且较低的制作成本，可多个电阻同时制作，同时也满足了客户应用端对高密度超小型厚膜晶片电阻的应用需求，具有良好的应用前景。

附图说明

图1是本实用新型的高密度超小型厚膜晶片电阻的结构示意图；

图2是本实用新型的高密度超小型厚膜晶片电阻的制造方法的步骤（1）后陶瓷基板体的示意图；

图3是本实用新型的高密度超小型厚膜晶片电阻的制造方法的步骤（1）刻出折条线的示意图；

图4是本实用新型的高密度超小型厚膜晶片电阻的制造方法的步骤（1）刻出折粒线的示意图；

图5是本实用新型的高密度超小型厚膜晶片电阻的制造方法的步骤（2）后的示意图；

图6是本实用新型的高密度超小型厚膜晶片电阻的制造方法的步骤（3）后的示意图；