[实用新型]无变频三维阵列等离子共振传感器有效
| 申请号： | 201720553346.3 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN206756692U | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 刘钢;许浩 | 申请（专利权）人： | 量准（上海）实业有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/59 | 分类号： | G01N21/59 |
| 代理公司： | 北京金蓄专利代理有限公司11544 | 代理人： | 马贺 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 变频 三维 阵列 等离子 共振 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种无变频三维阵列等离子共振传感器，其特征在于，包括等离子共振基底，为纳米结构的空腔阵列，其上覆盖多层材料结构层，包括从下至上依次排布的第一金属层、绝缘层和第二金属层，该多层材料结构层在基底内形成内嵌于所述等离子共振传感器中的光学谐振腔阵列，所述光学谐振腔为锥形杯状的空腔。
2.根据权利要求1所述的无变频三维阵列等离子共振传感器，其特征在于，所述锥形杯状的空腔深度为250～1000nm，所述第一金属层厚度为20～120nm，绝缘层厚度为20nm，所述第二金属层厚度为20～120nm。
3.根据权利要求2所述的无变频三维阵列等离子共振传感器，其特征在于，所述锥形杯状的空腔深度为300nm，所述第一金属层厚度为90nm，绝缘层厚度为20nm，所述第二金属层厚度为90nm。
4.根据权利要求1至3任一所述的无变频三维阵列等离子共振传感器，其特征在于，所述等离子共振器件的基底为热塑性聚酯材料，所述第一金属层为钛金层，所述绝缘层为硫化镉或二氧化硅，所述第二金属层为金层。
5.根据权利要求4所述的无变频三维阵列等离子共振传感器，其特征在于，所述热塑性聚酯材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯。
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