[实用新型]一种无引线框架的半导体封装结构

权利要求书

1.一种无引线框架的半导体封装结构，其特征在于，包括：

绝缘金属基板，其包括金属层、散热层以及用于隔离两者的绝缘层；

至少一芯片，其固定于所述金属层上并位于所述金属层远离所述绝缘层的一侧，所述散热层至少覆盖所述芯片对应的区域，所述芯片与所述金属层之间通过金属线和/或金属桥连接；

封装件，其包覆所述绝缘金属基板和所述芯片，并至少使所述散热层远离所述绝缘层的一侧外露出所述封装件，所述封装件采用绝缘介电材料制成。

2.根据权利要求1所述的无引线框架的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片远离所述绝缘金属基板的一侧设置辅助散热板。

3.根据权利要求2所述的无引线框架的半导体封装结构，其特征在于，所述辅助散热板包括依次设置在所述芯片远离所述绝缘金属基板的一侧的辅助金属层、辅助绝缘层以及辅助散热层，其中，所述辅助散热层远离所述辅助绝缘层的一侧外露出所述封装件。

4.根据权利要求2所述的无引线框架的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘金属基板上间隔设置控制芯片、功率芯片以及二极管芯片。

5.根据权利要求4所述的无引线框架的半导体封装结构，其特征在于，所述控制芯片通过金属线与所述绝缘金属基板的所述金属层连接，所述控制芯片、所述功率芯片以及所述二极管芯片之间通过金属线连接，所述二极管芯片通过金属线与所述绝缘金属基板的所述金属层连接。

6.根据权利要求4所述的无引线框架的半导体封装结构，其特征在于，所述控制芯片通过金属线分别与所述绝缘金属基板的所述金属层和所述功率芯片连接，所述功率芯片与所述二极管芯片之间通过金属桥连接，所述二极管芯片通过金属桥与所述绝缘金属基板的所述金属层连接。

7.根据权利要求4所述的无引线框架的半导体封装结构，其特征在于，所述控制芯片通过金属线分别与所述绝缘金属基板的所述金属层和所述功率芯片连接，所述功率芯片和所述二极管芯片远离所述绝缘金属基板的所述金属层的一侧设置辅助散热板，所述功率芯片与所述二极管芯片之间通过所述辅助散热板的辅助金属层连接，所述辅助散热板的所述辅助金属层与所述绝缘金属基板的所述金属层连接。

8.根据权利要求7所述的无引线框架的半导体封装结构，其特征在于，所述辅助散热板的所述辅助金属层通过过渡金属板与所述绝缘金属基板的所述金属层连接。

9.根据权利要求1至8任一项所述的无引线框架的半导体封装结构，其特征在于，所述封装件为环氧树脂封装胶。

10.根据权利要求1至8任一项所述的无引线框架的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘金属基板的所述散热层为金属散热层。