[实用新型]一种基于半导体开关的过电压保护装置有效

专利信息
申请号: 201720548502.7 申请日: 2017-05-17
公开(公告)号: CN206865136U 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 叶德平;田兢 申请(专利权)人: 西安神电电器有限公司
主分类号: H02H7/22 分类号: H02H7/22;H02H9/06
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司61211 代理人: 陈广民
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 半导体 开关 过电压 保护装置
【权利要求书】:

1.一种基于半导体开关的过电压保护装置,其特征在于:包括高压测量装置(3)、功率半导体开关器件(1)、氧化锌避雷器(2)以及用于控制功率半导体开关器件(1)通断的控制板(4),所述功率半导体开关器件(1)与氧化锌避雷器(2)串联,串联后的功率半导体开关器件(1)和氧化锌避雷器(2)再与高压测量装置(3)并联在一起,所述控制板(4)的一端接高压测量装置(3)的输出端,另一端接功率半导体开关器件(1)的触发端。

2.根据权利要求1所述的一种基于半导体开关的过电压保护装置,其特征在于:所述高压测量装置(3)为高压分压器,高压分压器的分压节点接控制板(4)。

3.根据权利要求1所述的一种基于半导体开关的过电压保护装置,其特征在于:所述高压测量装置(3)为高压互感器,所述高压互感器的输出端接控制板(4)。

4.根据权利要求1所述的一种基于半导体开关的过电压保护装置,其特征在于:所述功率半导体开关器件(1)为可控硅或IGBT。

5.根据权利要求4所述的一种基于半导体开关的过电压保护装置,其特征在于:所述可控硅为单向可控硅,所述单向可控硅的数量为两个,两个单向可控硅反向并联设置。

6.根据权利要求4所述的一种基于半导体开关的过电压保护装置,其特征在于:所述可控硅为双向可控硅,所述双向可控硅的数量为一个。

7.根据权利要求5或6所述的一种基于半导体开关的过电压保护装置,其特征在于:所述高压测量装置(3)由串接在一起的多个电阻元件或多个电容元件组成。

8.根据权利要求7所述的一种基于半导体开关的过电压保护装置,其特征在于:所述控制板(4)与功率半导体开关器件(1)以及控制板(4)内部均采用光纤连接。

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