[实用新型]一种静电保护结构、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种静电保护结构，其特征在于，包括：

形成在基板上的第一栅极和第二栅极，形成在所述第一栅极和所述第二栅极上的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层上的第一半导体图案和第二半导体图案，覆盖所述第一半导体图案和所述第二半导体图案上的第二绝缘层，以及形成在所述第二绝缘层上的导电层；

所述导电层包括相互间隔的第一部分、第二部分和第三部分；所述第一部分通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔与所述第一栅极接触；所述第一部分和所述第二部分分别通过形成在所述第二绝缘层中的第二过孔和第三过孔与所述第一半导体图案接触；所述第二部分通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第四过孔与所述第二栅极接触；所述第二部分和所述第三部分分别通过形成在所述第二绝缘层中的第五过孔和第六过孔与所述第二半导体图案接触；

所述第一部分和所述第三部分通过导电走线电连接。

2.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述导电层的材料为铟锡氧化物。

3.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述导电走线与所述导电层同层设置。

4.根据权利要求3所述的静电保护结构，其特征在于，所述导电走线的材料为铟锡氧化物。

5.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为无机绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的材料为氧化物半导体材料。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括第一信号线、第二信号线，以及权利要求1至6中任意一项所述的静电保护结构；

所述第一栅极与所述第一信号线连接；所述第二栅极与所述第二信号线连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线为栅线或数据线，所述第二信号线为公共电极线；

或者，所述第一信号线为公共电极线，所述第二信号线为栅线或数据线。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7或8所述的阵列基板。