[实用新型]一种神经刺激电极

说明书

本实用新型涉及一种神经刺激电极，包括电极阵列结构，所述电极阵列结构包括阵列分布的电极衬底，每个所述电极衬底的正面设置有凸出刺激电极，每个所述电极衬底背面形成金属电极，所述电极衬底之间填充玻璃固定及绝缘，本实用新型可形成高密度电极阵列，且电极形状可任意设计成圆形，方形，三角等所需图案，电极阵列可均匀排布也可疏密分布；并可与刺激芯片实现倒装焊连接，避免了柔性电极阵列随着电极阵列密度增加，与刺激芯片所需连接线大量增加的弊端，还可实现晶圆化大批量生产，并大幅度降低生产成本，且与刺激芯片所需连接线少，手术植入开口小，创伤面相对现有技术更小，术后愈合更快。

技术领域

本实用新型涉及一种神经刺激电极，属于生物医学设备技术领域。

背景技术

植入式神经刺激器在医学上有着广泛的应用，如人工耳蜗、人工视觉恢复、脑深部电刺激系统等。微电极作为揭示神经系统工作机理、治疗神经疾病等方面的重要工具，越来越受到人们广泛的关注，已成为当前重要的研究方向。

人们对微电极的应用，通常是将微电极植入动物或者患者体内，通过加载电信号来刺激或抑制神经活动，或者利用微电极将神经活动转换为电信号记录下来加以研究。由于作用目标的不同，各种基于微加工技术制作的微电极阵列得到了发展。其中，高密度、有序排列的三维微电极阵列可植入神经组织内，实现高密度的选择性刺激与记录，具有良好的应用前景。

当前，神经刺激器的微电极多采用柔性衬底的MEMS技术制作，再与刺激芯片通过导线连接，而当制作高密度微电极阵列时，随着刺激点数量的增加，连接微电极阵列内刺激点导线的数量不断上升，会导致布线宽度变大，手术植入开口需要增大，创伤面大。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：为克服上述问题，提供一种可实现超高密度的神经刺激电极。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种神经刺激电极，包括电极阵列结构，所述电极阵列结构包括阵列分布的电极衬底，每个所述电极衬底的正面设置有凸出刺激电极，每个所述电极衬底背面形成金属电极，所述电极衬底之间填充玻璃固定及绝缘。

优选地，所述电极阵列结构整体可均匀间隔阵列设置、不规则阵列排布或两者结合。

优选地，所述电极阵列结构中的电极衬底横截面可以为圆形、方形或多边形。

优选地，所述电极阵列结构中的电极衬底可为硅电极衬底、锗硅电极衬底或Ⅲ-Ⅴ族元素化合物电极衬底。

优选地，所述电极衬底的高度为100～500μm

优选地，所述金属电极的厚度是0.1～10μm

优选地，所述凸出刺激电极高度为0～500μm。

本实用新型的有益效果是：本实用新型采用在成型电极阵列结构时采用硅基MEMS技术，可形成高密度电极阵列且电极形状可任意设计成圆形，方形，三角等所需图案，并在半导体衬底的背面进行金属电极图形化制作金属电极焊点，可与刺激芯片实现倒装焊连接，避免了柔性电极阵列随着电极阵列密度增加，与刺激芯片所需连接线大量增加的弊端，另本实用新型还可实现晶圆化大批量生产，并大幅度降低生产成本。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型一实施例的半导体衬底的结构示意图；

图2(a)是本实用新型一实施例的一单元20×20电极阵列平面示意图；

图2(b)是本实用新型一实施例的边缘疏中间密的电极阵列结构示意图；

图2(c)是本实用新型一实施例的多种电极图案的电极阵列结构示意图；