[实用新型]半导体封装

说明书

技术领域

本实用新型的方面大体上涉及半导体封装。更特定实施方案涉及嵌入式堆叠裸片半导体封装。

背景技术

半导体装置，例如集成电路等，常常包覆在一或多个保护元件中，例如模塑化合物，其保护裸片和/或其它元件免受损害、湿气、污染等。一种(至少部分地)包覆的半导体装置，包含包覆或包封化合物，与在包封化合物外部或穿过所述包封化合物暴露的任何电触点一起，常常被称作封装。在一些情况下，多个裸片可包含于单个封装中。

实用新型内容

形成半导体封装(封装)的方法的实施方案可包含：将多个导电元件与衬底耦合；将第一半导体裸片与所述多个导电元件中的一或多者耦合；将所述第一半导体裸片和所述多个导电元件至少部分地包封在模塑化合物中，从而形成第一模塑层；在所述第一模塑层之上形成第一再分布层(RDL)，所述第一再分布层与所述第一半导体裸片电耦合；将第二半导体裸片与所述第一再分布层耦合；将所述第二半导体裸片和所述第一再分布层至少部分地包封在模塑化合物中，从而形成第二模塑层；在所述第二模塑层之上形成第二再分布层(RDL)，所述第二再分布层与所述第二半导体裸片电耦合；将所述第二再分布层至少部分地包封在模塑化合物，从而形成第三模塑层；将所述衬底的至少一部分从所述多个导电元件且从所述第一模塑层去除，从而暴露所述多个导电元件的表面以及所述第一模塑层的表面，以及；将焊接掩模施加到所述多个导电元件的所述暴露表面的部分以及所述第一模塑层的所述暴露表面的部分，从而形成堆叠嵌入式封装。

形成半导体封装(封装)的方法的实施方案可包含以下各项中的一个、所有或任一者：

将所述第一再分布层与所述多个导电元件中的一或多者电耦合。

可使用压缩模塑法来形成第一模塑层、第二模塑层和第三模塑层。

将第三半导体裸片与所述多个导电元件中的一或多者耦合，且将所述第三半导体裸片至少部分地包封在所述第一模塑层中。

所述堆叠嵌入式封装可不包含循序堆积(SBU)层压衬底。

所述堆叠嵌入式封装可不包含接合线，且不包含导电夹。

通过一或多个导电支柱将所述第一再分布层与所述第一半导体裸片电耦合，通过一或多个导电支柱将所述第二再分布层与所述第二半导体裸片电耦合，且通过一或多个导电支柱将所述第二再分布层与所述第一再分布层电耦合。

将散热装置与所述第二再分布层耦合且将所述散热装置至少部分地包封在所述第三模塑层中，其中所述散热装置的一部分通过所述第三模塑层中的开口在所述封装的外表面上暴露。

形成半导体封装(封装)的方法的实施方案可包含：将多个导电元件与衬底耦合；将第一半导体裸片与所述多个导电元件中的一或多者耦合；将所述第一半导体裸片和所述多个导电元件至少部分地包封在模塑化合物中，从而形成第一模塑层；穿过所述第一模塑层形成一或多个第一通孔，以暴露所述第一半导体裸片的一或多个表面；用导电材料来至少部分地填充所述一或多个第一通孔，从而形成一或多个第一支柱；在所述第一模塑层之上形成第一再分布层(RDL)，所述第一再分布层通过所述一或多个第一支柱，与所述第一半导体裸片电耦合；将第二半导体裸片与所述第一再分布层耦合；将所述第二半导体裸片和所述第一再分布层至少部分地包封在模塑化合物中，从而形成第二模塑层；穿过所述第二模塑层形成一或多个第二通孔，以暴露所述第二半导体裸片的一或多个表面；用导电材料来至少部分地填充所述一或多个第二通孔，从而形成一或多个第二支柱；在所述第二模塑层之上形成第二再分布层(RDL)，所述第二再分布层通过所述一或多个第二支柱，与所述第二半导体裸片电耦合；将所述第二再分布层至少部分地包封在模塑化合物中，从而形成第三模塑层；将所述衬底的至少一部分从所述多个导电元件且从所述第一模塑层去除，从而暴露所述多个导电元件的表面以及所述第一模塑层的表面，以及；将焊接掩模施加到所述多个导电元件的所述暴露表面的部分，且施加到所述第一模塑层的所述暴露表面的部分，从而形成堆叠嵌入式封装。

形成半导体封装(封装)的方法的实施方案可包含以下各项中的一个、所有或任一者：

将所述第一再分布层与所述多个导电元件中的一或多者电耦合。

可使用压缩模塑法来形成第一模塑层、第二模塑层和第三模塑层。

将第三半导体裸片与所述多个导电元件中的一或多者耦合，且将所述第三半导体裸片至少部分地包封在所述第一模塑层中。

所述堆叠嵌入式封装可不包含循序堆积(SBU)层压衬底，不包含接合线，且不包含导电夹。