[实用新型]集成式的抗无线电干扰的插头装置有效
申请号: | 201720526288.5 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN206947616U | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 马宝发 | 申请(专利权)人: | 上海马陆日用友捷汽车电气有限公司;上海日用—友捷汽车电气有限公司;长春日用友捷汽车电气有限公司 |
主分类号: | H01R13/502 | 分类号: | H01R13/502;H01R13/46;H01R24/28 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司31203 | 代理人: | 陆林辉 |
地址: | 201801 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 无线电 干扰 插头 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及抗无线电干扰技术领域,特别是涉及一种集成式的抗无线电干扰的插头装置。
背景技术
目前,传统的抗无线电干扰的电子元器件都是装在电机内部的,由于电机的结构受限,电子元器件的排放存在电气上的跨接,这就直接导致在电机内部形成LC(电感电容)回路,不能很好的抑制传导辐射。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术存在的问题和不足,在不增加电子元器件的情况下,将原来在电机内部的EMC(电磁兼容性)元器件一并移到电机的外壳外,同时考虑可安装性、可制造性和生产成本,提供一种集成式的抗无线电干扰的插头装置。
本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:
本实用新型提供一种集成式的抗无线电干扰的插头装置,其特点在于,其包括一用于固定于电机内的刷盆、三根插片和五个电容,该刷盆包括一壳体,该壳体上嵌设有金属导电片,该三根插片嵌设于该壳体上,且该三根插片与该金属导电片相接触,该三根插片上套设固定有一插头盖,该插头盖中设置有该五个电容,该插头盖可以遮挡该五个电容,并与电机有效贴合。
第一电容电连接于该三根插片的正极插片和低速插片之间,第二电容电连接于该正极插片和该低速插片之间,第三电容电连接于该低速插片和该三根插片的负极插片之间,第四电容电连接于该低速插片和该负极插片之间,第五电容电连接于该正极插片和该负极插片之间。
较佳地,该插头盖包括一左盖体和一右盖体,该三根插片上固定有一凸台,该凸台的一侧与该左盖体匹配,该凸台的另一侧与该右盖体匹配,该左盖体和该右盖体均与该凸台的匹配侧固定连接。
较佳地,该壳体为塑料壳体。
在符合本领域常识的基础上,上述各优选条件,可任意组合,即得本实用新型各较佳实例。
本实用新型的积极进步效果在于:
一、有效改善电机在80~100M范围内对外界产生的传导辐射幅值,满足EMC等级5要求。
二、通用性强:插头装置包括刷盆、插片、电容以及插头盖,只要合适的刷盆与电机连接,就可匹配各种规格电机。
三、装配方便:插头装置采用标准设计,通过焊接和机械连接合成,之后插头装置通过铆压可以与电机直接连接。
附图说明
图1为本实用新型较佳实施例的插头装置的结构示意图。
图2和3为本实用新型较佳实施例的插头装置的局部结构示意图。
图4为本实用新型较佳实施例的工作原理图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1-3所示,本实施例提供一种集成式的抗无线电干扰的插头装置,其包括一用于固定于电机内的刷盆1、三根插片和五个电容,该刷盆1包括一塑料壳体,该塑料壳体上嵌设有金属导电片,该三根插片嵌设于该塑料壳体上,且该三根插片与该金属导电片相接触,该三根插片上套设固定有一插头盖2,该插头盖2中设置有该五个电容。
具体地,如图2所示,该插头盖2包括一左盖体21和一右盖体22,该三根插片上固定有一凸台6,该凸台6的一侧与该左盖体21匹配,该凸台6的另一侧与该右盖体22匹配,该左盖体21和该右盖体22均与该凸台6的匹配侧固定连接。
如图2和3所示,第一电容C6电连接于该三根插片的正极插片3和低速插片4之间,第二电容C7电连接于该正极插片3和该低速插片4之间,第三电容C8电连接于该低速插片4和该三根插片的负极插片5之间,第四电容C9电连接于该低速插片4和该负极插片5之间,第五电容C10电连接于该正极插片3和该负极插片5之间。
现有技术中,第一电容C6、第三电容C8、第二电容C7、第四电容C9和第五电容C10都在电机机壳7的内部,与电机机壳7内的电容C5、电感L2和L3配合形成LC滤波电路,使电机能满足辐射和传导要求。其中,第一电容C6、第三电容C8为接地电容,第二电容C7、第四电容C9和第五电容C10分别为高中低速正负极电容。
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