[实用新型]基于F‑P结构的光纤微悬桥磁场传感探头有效
| 申请号： | 201720523245.1 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN206975198U | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 施阳阳;刘月明;韩晓红 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 结构 纤微 磁场 传感 探头 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于F-P结构的光纤微悬桥磁场传感探头，包括：光纤，对称固支端，基于中间反射体的光纤微悬桥，铬金属膜，超磁致伸缩薄膜，其特征是具有中间反射体的光纤微悬桥位于光纤端面，光纤微悬桥长度为95μm-105μm，中间反射体长为35μm-45μm，宽为35μm-45μm，微悬桥厚度为3μm-5μm，固支端长度为10μm-15μm，宽度与光纤微悬桥的宽度相同，为20μm-30μm，光纤微悬桥与光纤端面通过两对称固支端连接，并且构成法布里-珀罗谐振腔，形成光纤一体化结构。
2.根据权利要求1所述的一种基于F-P结构的光纤微悬桥磁场传感探头，其特征是铬金属膜和超磁致伸缩薄膜依次镀在光纤微悬桥的外表面，铬金属膜厚度为30nm-50nm，超磁致伸缩薄膜材料为TbDyFe材料，厚度为1μm-1.5μm。
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