[实用新型]一种半导体封装的新型自锁型框架结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装的新型自锁型框架结构。

背景技术

随着半导体封装产业的不断发展，在产品的性能、尺寸、成本可靠性等方面要求也不断提高，当性能越高，尺寸越薄越小，成本越低，产品的可靠性就越难实现。为了实现良好的电性能和散热性能，很多产品仍然较多地使用引线框架为载体的封装形式，引线框架的排布也向高密度方向发展，这种类别的产品在性能、尺寸价格方面都有很好的优势，但塑封体与引线框架的热膨胀系数差很大，结合性差，在封装的后序工艺中去胶去纬、测试包装、电镀等湿制程产生的水汽有机会侵入引线框架和塑封体的结合面，可靠性却遇到很大的挑战，湿度敏感等级低，容易产生分层，甚至拉脱焊线，形成电性失效。引线框架上设有芯片座，由于散热效果的限制，芯片的数量受到限制，最多装二个芯片，产品的电流电压较小。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种提高塑封体和引线框单元的结合性、高可靠性的半导体封装的新型自锁型框架结构。

本实用新型是这样实现的：一种半导体封装的新型自锁型框架结构，包括多个引线框单元，所述引线框单元通过连接筋相互连接，所述引线框单元包括芯片座和引脚区，所述芯片座包括散热区和至少二个芯片区，所述引脚区数量至少为二个，所述芯片区与引脚区分别连接，每个引脚区上设有两个侧引脚，所述侧引脚的外侧开设有半圆形凹槽。

其中，所述半圆形凹槽的半径为0.1mm。

其中，所述引脚区还包括中间引脚，所述中间引脚与芯片区连接。

其中，所述散热区设有散热孔。

其中，所述芯片区的四周还设有挡水凹槽。

其中，所述挡水凹槽截面为V型，深度为0.2mm，宽度为0.2-0.5mm。

其中，所述侧引脚和中间引脚上还电镀有锡层。

本实用新型的有益效果为：所述半导体封装的新型自锁型框架结构，包括多个引线框单元，所述引线框单元通过连接筋相互连接，所述引线框单元包括芯片座和引脚区，所述芯片座包括散热区和至少二个芯片区，所述引脚区数量至少为二个，所述芯片区与引脚区分别连接，从而在组装时串联或并联至少二个芯片，增大了芯片面积，在操作过程中更容易和方便，另外，每个引脚区上设有两个侧引脚，所述侧引脚的外侧开设有半圆形凹槽，塑封体固化后与引线框单元形成自锁，增加二者的结合力。

附图说明

图1是本实用新型所述半导体封装的新型自锁型框架结构实施例的结构示意图。

其中，1、引线框单元，11、芯片座；111、散热区；112、芯片区；113、散热孔；114、挡水凹槽；12、引脚区；121、侧引脚；122、中间引脚；123、半圆形凹槽。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

作为本实用新型所述半导体封装的新型自锁型框架结构的实施例，如图1所示，包括多个引线框单元1，所述引线框单元1通过连接筋相互连接，所述引线框单元1包括芯片座11和引脚区12，所述芯片座11包括散热区111和至少二个芯片区112，所述引脚区12数量至少为二个，本实施例为三个，所述芯片区112与引脚区12分别连接，每个引脚区12上设有两个侧引脚121，所述侧引脚121的外侧开设有半圆形凹槽123。

所述半导体封装的新型自锁型框架结构，包括多个引线框单元1，所述引线框单元1通过连接筋相互连接，所述引线框单元包括芯片座11和引脚区12，所述芯片座11包括散热区111和至少二个芯片区112，所述引脚区12数量至少为二个，所述芯片区112与引脚区12分别连接，从而在组装时串联或并联至少二个芯片，增大了芯片面积，在操作过程中更容易和方便，另外，每个引脚区12上设有两个侧引脚121，所述侧引脚121的外侧开设有半圆形凹槽123，塑封体固化后与引线框单元形成自锁，增加二者的结合力。

在本实施例中，所述半圆形凹槽123的半径为0.1mm。所述引脚区12还包括中间引脚122，所述中间引脚122与芯片区112连接。

在本实施例中，所述散热区111设有散热孔113。所述侧引脚121和中间引脚122上还电镀有锡层，用于焊接到线路板上。

在本实施例中，所述芯片区112的四周还设有挡水凹槽114，所述挡水凹槽114截面为V型，深度优选值为0.2mm，宽度优选值为0.2-0.5mm。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。