[实用新型]电池片的背电极、太阳能电池片及网版有效
申请号: | 201720516460.9 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN206727080U | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 周彬;衡阳;郑旭然;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 李进 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 电极 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片的生产制造技术领域,尤其是涉及一种电池片的背电极、太阳能电池片及网版。
背景技术
环境污染和常规的化石燃料日益消耗殆尽,在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。光伏发电技术是最具可持续发展理想特征的发电技术之一。目前,在所有的太阳能电池中,硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一。
在目前的太阳能电池片中,背电极图形一般都使用矩形的图形。在利用太阳能电池片组装光伏组件时,是将光伏焊带焊接在一片电池片的背电极和另一片电池片的正电极上,从而实现串联连接。串联后,电池片内产生的电流经背电场收集后汇聚到背电极上,之后经由焊带导出。
目前生产工艺中,一般是利用自动焊接机把焊带焊接到电池片上。自动焊接机在焊接时会对电池片进行拍照定位,定位一般是采用中心对位的方式,这样电池片中间部位定位的准确度较好,边缘的误差相对会大,因此,在焊接后常出现焊带相对于背电极存在一定角度的偏移现象,一般边缘的偏移量会大于中间部位的偏移量,此时,边缘部位的焊带常会偏离背电极造成焊接不良(如虚焊),从而影响组件的功率和可靠性。
有鉴于此,特提出本实用新型。
实用新型内容
本实用新型的第一目的在于提供一种电池片的背电极,以缓解利用现有技术中的背电极进行自动焊接时,焊带与背电极的位置发生相对偏移后容易造成焊接不良的技术问题。
为了实现本实用新型的上述目的,特采用以下技术方案:
一种电池片的背电极,沿背电极的长度方向,所述背电极的两外端部设有宽展区,所述宽展区的宽度尺寸大于所述背电极中间部位的宽度尺寸。
进一步的,所述宽展区为梯形背电极段,所述梯形背电极段靠近电池片边缘一侧的宽度尺寸大于所述梯形背电极段远离电池片边缘一侧的宽度尺寸。
进一步的,所述梯形背电极段的高度范围为5-20mm。
进一步的,所述背电极中间部位为矩形背电极段;
所述矩形背电极段的宽度尺寸与所述梯形背电极段远离电池片边缘一侧的宽度尺寸相同;
所述梯形背电极段靠近电池片边缘一侧的宽度尺寸是所述矩形背电极段的宽度尺寸的1.2-3倍。
进一步的,所述背电极为连续结构背电极;
或,所述背电极为分段结构背电极。
进一步的,所述分段结构背电极的分段数≥3段。
与已有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型中的背电极通过将靠近电池片边缘处的宽度尺寸设计为大于背电极中间部位的宽度尺寸,这样在背电极两端就会各自存在一个宽展区,焊接时,当焊带与背电极发生存在一定角度的相对偏移时,焊带的焊接位置还是会落在宽展区的背电极上,不会造成虚焊等焊接不良问题。
此外,由于只是在背电极的两端采用增加宽度尺寸的设计结构,因此,并不会增加太多背电极的成本。而且在生产设计背电极时,只需略微缩小背电极的长度,背电极的面积就基本可以和原来的矩形设计保持一致,从而避免背电极成本的增加。
本实用新型的第二目的在于提供太阳能电池片,利用该太阳能电池片进行焊接,可以在焊带与背电极的发生相对偏移后提高组件的焊接质量。
一种太阳能电池片,包括至少两条上述电池片的背电极。
进一步的,所述电池片的背电极的条数为2-6条。
进一步的,沿所述背电极的长度方向,所述背电极的最外端距离电池片的边缘范围为5-30mm。
该太阳能电池片包括上述背电极,因此,具有上述背电极的全部有益效果。利用该太阳能电池片进行焊接,当焊带尾部与背电极的端部存在较小的角度偏移时,由于增加了背电极两端部的宽度尺寸,即增加了宽展区,因此焊带还是会被焊接在背电极端部的宽展区内,从而可以有效防止焊接不良的发生,进而提高组件的焊接质量和组件后期运行的可靠度。
本实用新型的第三目的在于提供一种网版,利用该网版可以印刷制备上述太阳能电池片。
一种网版,所述网版上设有与上述太阳能电池片上的背电极相匹配的印刷区域。
利用该网版能够制备出包含上述背电极的太阳能电池片,其有益效果在此不再进行赘述。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的