[实用新型]一种半导体封装电路的新型高密度框架结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装电路的新型高密度框架结构。

背景技术

随着半导体封装产业的不断发展，在产品的性能、尺寸、成本可靠性等方面要求也不断提高，当性能越高，尺寸越薄越小，成本越低，产品的可靠性就越难实现。为了实现良好的电性能和散热性能，很多产品仍然较多地使用引线框架为载体的封装形式，引线框架的排布也向高密度方向发展，这种类别的产品在性能、尺寸价格方面都有很好的优势，但塑封体与引线框架的热膨胀系数差很大，结合性差，在封装的后序工艺中去胶去纬、电镀等湿制程产生的水汽有机会侵入引线框架和塑封体的结合面，可靠性却遇到很大的挑战，湿度敏感等级低，容易产生分层，甚至拉脱焊线，形成电性失效；另外芯片通过导电胶粘接在芯片座上，导电胶的导电导热性能也会对产品的可靠性产生影响，导电胶一般包括溶剂和主剂，一旦导电胶的过度溢出或者长时放置导电胶中溶剂扩散，会沾污引线框架，降低产品的可靠性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种提高塑封体和引线框架的结合性、高可靠性的半导体封装电路的新型高密度框架结构。

本实用新型是这样实现的：一种半导体封装电路的新型高密度框架结构，包括多个引线框单元，所述引线框单元通过连接筋相互连接，所述引线框单元表面为铜层，所述引线框单元包括芯片座和引脚，芯片通过导电胶粘贴在芯片座上，所述芯片座上设有用于防止导电胶的过度溢出阻胶槽。

其中，所述阻胶槽截面为V型，深度为0.1mm，宽度为0.2-0.5mm。

其中，所述芯片座和引脚上还设有开孔。

其中，所述芯片座和引脚的边缘处设有凹槽。

其中，所述芯片座和引脚表面还设有半腐蚀区。

本实用新型的有益效果为：引线框架和塑封体结合面的结合力主要与结合面的材料有关，此处指的是引线框架表面的材料，就结合力而言，铜与塑封体结合性相当好，而钯金表面次之，银表面则相差许多，本实用新型所述引线框单元表面为铜层，从基础材料的选择上保证结合力，尤其是单面封装的半导体器件，引线框架与塑封体的结合力显得更加重要；另外在芯片座上设置阻胶槽，可以防止导电胶的过度溢出或者导电胶中溶剂扩散，避免沾污引线框单元，提高产品可靠性。

附图说明

图1是本实用新型所述半导体封装电路的新型高密度框架结构实施例的结构示意图；

图2是本实用新型所述框架结构封装后的产品剖面示意图。

其中，1、引线框单元；11、芯片座； 12、引脚；13、阻胶槽；14、开孔；15、凹槽； 2、芯片；3、塑封体。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

作为本实用新型所述半导体封装电路的新型高密度框架结构实施例，如图1和图2所示，包括多个引线框单元1，所述引线框单元1通过连接筋相互连接，所述引线框单元1表面为铜层，所述引线框单元1包括芯片座11和引脚12，芯片2通过导电胶粘贴在芯片座11上，所述芯片座11上设有用于防止导电胶的过度溢出阻胶槽13。

引线框架和塑封体结合面的结合力主要与结合面的材料有关，此处指的是引线框架表面的材料，就结合力而言，铜与塑封体结合性相当好，而钯金表面次之，银表面则相差许多，本实用新型所述引线框单元1表面为铜层，从基础材料的选择上保证结合力，尤其是单面封装的半导体器件，引线框单元1与塑封体3的结合力显得更加重要；另外在芯片座11上设置阻胶槽13，可以防止导电胶的过度溢出或者导电胶中溶剂扩散，避免沾污引线框单元1，提高产品可靠性。所述阻胶槽截面为V型，深度可根据芯片及芯片座的尺寸而定，优选值为深度为0.1mm，宽度为0.2-0.5mm。

在本实施例中，所述芯片座11和引脚12上还设有开孔14，芯片2被封装后，所述开孔14形成锁胶孔，在所述芯片座和引脚的边缘处设有凹槽15，会相应地形成锁胶槽，均可以增加引线框单元1表面与塑封体3的结合力。

在本实施例中，所述芯片座和引脚表面还设有半腐蚀区，半腐蚀区的表面较为粗糙，可以增加材料的接触面积，也能增加引线框架表面与塑封体的结合力。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。