[实用新型]玻璃升降器电机的电子控制系统有效
申请号: | 201720510498.5 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN206775429U | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 吴琼 | 申请(专利权)人: | 恩坦华汽车零部件(镇江)有限公司 |
主分类号: | H02P29/00 | 分类号: | H02P29/00;H02P7/03 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 212009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 升降 电机 电子 控制系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及玻璃升降器电机领域,特别是涉及一直玻璃升降器电机的电子控制系统。
背景技术
现在常用的玻璃升降器电机是通过继电器的吸合来控制电路的通断,继电器内部有两对常闭或常开的电路,当一路常开电路导通时通过磁体将开关吸合下来变成常闭连高电平,跟另外个常开接地的电路导通,形成电机一个方向的转动;反之形成另外一个方向的转动。但是,电子模块中的继电器工作时开关的吸合会有滴答的声音,对电机的运行产生一定的噪音,且继电器的体积较大,集成度较低。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种噪音较小、体积较小的玻璃升降器电机的电子控制系统。
一种玻璃升降器电机的电子控制系统,包括磁噪音过滤模块、信号输入/输出接口端、主处理芯片控制器及MOSFET控制模块,所述主处理芯片控制器和所述磁噪音过滤模块、所述信号输入/输出接口端及所述MOSFET控制模块电性连接,所述磁噪音过滤模块与电源电性连接,所述MOSFET控制模块与玻璃升降器电机电性连接。
上述技术方案,由于采用MOSFET控制模块实现玻璃升降器电机的正转或反转,在电路通断过程中,无继电器的吸合声音,改善了使用过程中的噪音问题,噪音较小;由于MOSFET控制模块高度集成,体积较小,更能适应汽车电子器件的发展趋势,方便后续新功能的增加。
在其中一个实施例中,所述MOSFET控制模块包括四个MOS管并列连接构成的H桥控制电路,MOS管1和MOS管4与正转输入电路的信号端连通,MOS管2和MOS管3与反转输入电路的信号端连通。
在其中一个实施例中,所述H桥控制电路的两桥臂之间连接有瞬态电压抑制电路。
在其中一个实施例中,所述磁噪音过滤模块包括并联的电容及电感。
上述技术方案,磁噪音过滤模块中的电容和电感能够过滤电路中的磁噪音,减少干扰项。
上述玻璃升降器电机的电子控制系统,由于采用MOSFET控制模块实现玻璃升降器电机的正转或反转,在电路通断过程中,无继电器的吸合声音,改善了使用过程中的噪音问题,噪音较小;由于MOSFET控制模块功耗低,且具有更快的电路开关响应速度。
附图说明
图1为本实用新型的玻璃升降电机的电子控制系统的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1,一种玻璃升降器电机的电子控制系统,包括磁噪音过滤模块1、信号输入/输出接口端2、主处理芯片控制器3及MOSFET控制模块4,主处理芯片控制器3和磁噪音过滤模块1、信号输入/输出接口端2及MOSFET控制模块4电性连接,磁噪音过滤模块1与电源电性连接,磁噪音过滤模块1包括并联的电容11及电感12。MOSFET控制模块4与玻璃升降器电机电性连接,用于实现玻璃升降器电机的正转或反转。
其中,MOSFET控制模块4包括四个MOS管并列连接构成的H桥控制电路,MOS管1和MOS管4与正转输入电路的信号端连通,MOS管2和MOS管3与反转输入电路的信号端连通。H桥控制电路的两桥臂之间连接有瞬态电压抑制电路。
上述玻璃升降器电机的电子控制系统的工作原理为:信号输入/输出接口端2接收到玻璃升降器正转信号后,将信号传输给主处理芯片控制器3,主处理芯片控制器3控制MOS管1、MOS管4导通,MOS管2、MOS管3关闭,玻璃升降器电机两端加正向电源,实现电机的正转;信号输入/输出接口端2接收到玻璃升降器反转信号后,将信号传输给主处理芯片控制器3,主处理芯片控制器3控制MOS管2、MOS管3导通,MOS管1、MOS管4关闭,玻璃升降器电机两端加反向电源,实现电机的反转。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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