[实用新型]一种SOT883高密度框架有效
| 申请号： | 201720510326.8 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN206806328U | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;许兵;李宁;李超 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所51221 | 代理人： | 王芸,熊晓果 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sot883 高密度 框架 | ||
1.一种SOT883高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上设多个与SOT883封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部为矩形，且所有芯片安装部的长边与框架的短边平行布置；相邻芯片安装部之间的切割道分为横向连接筋和竖向连接筋，所述横向连接筋的竖向中部设有竖向切割定位槽，所述竖向连接筋为间隔设置的条形结构。
2.根据权利要求1所述的SOT883高密度框架，其特征在于，所述横向连接筋和竖向连接筋均为半腐蚀结构。
3.根据权利要求1所述的SOT883高密度框架，其特征在于，在每个芯片安装部的横向两侧均设有间隔设置的两个横向连接筋，所述竖向切割定位槽对应设置在相邻的两个横向连接筋上。
4.根据权利要求1所述的SOT883高密度框架，其特征在于，在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框切割道，包括横向边框切割道和竖向边框切割道，所述竖向边框切割道为间隔设置的矩形通孔，在相邻的矩形通孔之间设有边框横向切割定位槽，所述边框横向切割定位槽与芯片安装部之间的竖向连接筋中心线对应设置。
5.根据权利要求4所述的SOT883高密度框架，其特征在于，所述矩形通孔中部设有中部连筋，所述中部连筋与竖向连接筋平行布置。
6.根据权利要求4所述的SOT883高密度框架，其特征在于，所述横向边框切割道包括间隔设置的矩形半腐蚀区，所述矩形半腐蚀区中部为中部通孔，在相邻的矩形半腐蚀区之间设置有边框竖向切割定位槽，所述边框竖向切割定位槽与横向连接筋上的竖向切割定位槽对应设置。
7.根据权利要求1-6之一所述的SOT883高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚槽，所述横向连接筋和竖向连接筋分别设置在芯片安置区和引脚槽周围。
8.根据权利要求1所述的SOT883高密度框架，其特征在于，所述框架上设有单元分隔槽，所述单元分隔槽设置在框架中部，将框架均分为2个芯片安装单元。
9.根据权利要求8所述的SOT883高密度框架，其特征在于，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个芯片安装单元内均布置有52排、154列芯片安装部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进功率半导体股份有限公司，未经成都先进功率半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720510326.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鼠标（N1）
- 下一篇：一种半导体封装电路的新型高密度框架结构
