[实用新型]一种DFN2013‑2高密度框架

权利要求书

1.一种DFN2013-2高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上多个与DFN2013-2封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚安置区，所述芯片安置区和引脚安置区的比例为2:1或3:1或4:1，且芯片的2根引脚均焊接于引脚安置区内。

2.根据权利要求1所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部为矩形，所有芯片安装部的长边与框架的短边平行布置，在芯片安装部之间为切割部，所述切割部为横竖交错的切割道连筋，所述切割道连筋的宽度为0.1±0.05mm。

3.根据权利要求2所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，所述切割道连筋为半腐蚀结构。

4.根据权利要求1-3之一所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，在芯片安装部的周围设置有多个加强连块，相邻的芯片安装部通过加强连块连接。

5.根据权利要求4所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，在每个芯片安装部的芯片安置区周围连有5个加强连块。

6.根据权利要求5所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，在芯片安装部周围的四个角上还设有十字连筋，用于连接横竖交错设置的切割道连筋。

7.根据权利要求1所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，所述框架上设有单元分隔槽，所述单元分隔槽设置在框架中部，将框架均分为2个芯片安装单元。

8.根据权利要求7所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个芯片安装单元内均布置有27排、78列芯片安装部。