[实用新型]声表面波谐振式传感器有效
| 申请号： | 201720507969.7 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN207163978U | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 郑乐江;陈卫强;强雪乾;吴玉晓;叶犇;林鑫;舒探宇 | 申请（专利权）人： | 广州粤能电力科技开发有限公司;广州宇阳电力科技有限公司;霖晓（天津）科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N29/24 | 分类号： | G01N29/24 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 潘桂生,黄青 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面波 谐振 传感器 | ||
1.一种声表面波谐振式传感器，其特征在于，包括压电基片、设置在压电基片上的叉指换能器、两组沟槽反射栅阵列以及天线，其中叉指换能器的电极外接至所述天线，两组所述沟槽反射栅阵列对称设置在所述叉指换能器的两侧，所述沟槽反射栅阵列包括多根平行设置的沟槽反射栅，多根所述沟槽反射栅的长度不相等，其中沟槽反射栅的长度变化符合加权函数方程。
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振式传感器，其特征在于，所述沟槽反射栅为铌酸锂沟槽反射栅、锗酸铋沟槽反射栅或石英沟槽反射栅。
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振式传感器，其特征在于，所述沟槽反射栅的沟槽深度为叉指换能器波长的0.05～0.5倍。
4.根据权利要求3所述的声表面波谐振式传感器，其特征在于，所述沟槽反射栅是反射率为所述沟槽反射栅的沟槽深度的0.57倍的沟槽反射栅。
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振式传感器，其特征在于，所述沟槽反射栅的数目与所述沟槽反射栅反射率成反比。
6.根据权利要求1所述的声表面波谐振式传感器，其特征在于，所述多根平行设置的沟槽反射栅的宽度均相等，且所述沟槽反射栅的宽度为所述叉指换能器波长的0.25倍。
7.根据权利要求1所述的声表面波谐振式传感器，其特征在于，所述多根平行设置的沟槽反射栅之间的间距相等，且所述沟槽反射栅之间的间距为叉指换能器波长的0.25倍。
8.根据权利要求1所述的声表面波谐振式传感器，其特征在于，所述压电基片为石英晶体压电基片、铌酸锂压电基片或锗酸铋压电基片。
9.根据权利要求1所述的声表面波谐振式传感器，其特征在于，所述叉指换能器为金属单质叉指换能器、金属合金叉指换能器或导电性金属氧化物叉指换能器。
10.根据权利要求9所述的声表面波谐振式传感器，其特征在于，所述压电基片为Y切向的石英晶体压电基片。
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