[实用新型]可调式提升炉管置放空间的置放柜有效
申请号: | 201720507461.7 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN206789527U | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 彭文星 | 申请(专利权)人: | 鑫祥科技有限公司;闳宇新技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)11301 | 代理人: | 郑玉洁 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调式 提升 炉管 置放 空间 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种工艺储存炉管的设备,尤指一种可调式提升炉管置放空间的置放柜。
背景技术
一般来说,在半导体工艺或称集成电路工艺中,如炉管进管装置用以加热晶圆,来达成所想要的反应,许多步骤都必须在高温环境下进行,例如用来掺杂(doping)离子的热扩散(diffusion)工艺、成长氧化层(SiO2)的热氧化工艺,以及用来消除缺陷(defects)的退火(annealing)工艺,上述热处理方法,一般都将硅芯片置于晶舟而送进高温炉管反应,待反应完成取出。其中,无论是工艺前或完成工艺后,该炉管经清洗设备清洗,而必须存放在特定的柜子里以利再次使用,因此有专门储存炉管的设备,故请参阅图1所示,公开了一种炉管的置放架,其主要为一盛放架10,该盛放架10可依序排列竖立盛放有四个炉管11,其中,储存该炉管11的设备(箱体)一定要具有风机过滤设备,以过滤无尘室内的空气,使得储存的该炉管11保持最佳的洁净状态。
此一技术方案中,储存该炉管11的设备依该盛放架10只能置放四个该炉管11,除了该盛放架10的设置形式产生占据空间较大的问题,由于受到该盛放架10盛放数量的限制,在设置多台的该炉管11的存放设备将不符合经济的效益。
此外,该盛放架10无法存放不同尺寸的炉管11,其无法随时改变置放炉管11的空间,除非重新设计较大或较小尺寸的盛放架10。
因此,如何针对以上所论述的缺点,对存放该炉管11容量不足的问题以及存放的不便利性加以改进,即为本案发明人所欲解决的技术困难点所在。
实用新型内容
有鉴于现有技术的缺点,因此本实用新型的目的在于发展一种半导体晶圆在加热工艺中所使用的储存炉管的设备,尤指一种可调式提升炉管置放空间的置放柜。
为了达成以上的目的,本实用新型提供一种可调式提升炉管置放空间的置放柜,其包括:一储存箱体,外围一侧面连通设有至少一开口,该储存箱体内设有至少一储存座,该储存座上设有一转轴和一第一圆盘,该转轴轴设于该储存箱体的上下表面,该转轴穿设固定该第一圆盘,该转轴上的该第一圆盘的上方以环绕形式均匀分布延伸设有多个杆体。
其中,该第一圆盘上与该转轴之间垂直延伸设有多个在该第一圆盘上均匀排列的隔挡部,且该储存箱体内下方表面设有多个第二通气孔,该储存箱体下方延伸设有至少一第二容置空间,该第二容置空间与这些第二通气孔相连通,该第二容置空间活动结合一抽屉,该抽屉内两相对侧面分别排列设有高低对称的两个嵌合槽,其中一相对侧面的两个嵌合槽活动嵌合一第一嵌合片,另一相对侧面的两个嵌合槽活动嵌合一第二嵌合片,该第一嵌合片上方设有一第一凹陷部,该第二嵌合片上方设有一第二凹陷部,该第一凹陷部和该第二凹陷部高低对称设置。并且,每两个隔挡部之间的该第一圆盘之上设有多个防刮部,这些防刮部为条状,且由聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene , PTFE)材质制成;以及每一杆体上均设有两个固定底座,每一杆体上的该两个固定底座均分别接设一橡胶管,且该第一圆盘上的下表面且相对应于每一隔挡部分别设有一固定部,该储存箱体内下方表面设有一被固定部,该被固定部活动固设于每一固定部上。并且,该开口周围轴设一门板组,该门板组设有两个相互对称开合的门板,该储存箱体另一侧面上连通固设至少一风机过滤装置,该储存箱体垂直于该侧面的内部表面平行活动设有至少一拉板,该拉板一侧面上设有至少一组固定座,该拉板下方周缘延伸设有一底座,该组固定座上设有五个固定模块,每一固定模块设有一第一凹槽和一固定杆,该第一凹槽一侧延伸设有一第一容置空间,该固定杆一端轴设于该第一容置空间上,且该第一圆盘上设有多个第一通气孔,每一杆体与转轴之间均以螺柱和螺孔相互螺接。
本实用新型主要在该储存箱体内设有至少一储存座,该储存座设有该转轴和第一圆盘,该转轴轴设于该储存箱体的上下表面,该转轴穿设固定该第一圆盘,该转轴上的该第一圆盘的上方以环绕形式均匀分布延伸设有这些杆体,以可使本实用新型达到在特定的空间范围内提升炉管置放的数量(空间),更可达到随时可调,提供不同尺寸大小的炉管予以置放,及随时改变存放炉管的数量的效果。
附图说明
图1:现有技术的炉管的置放架的俯视示意图;
图2:本实用新型较佳实施例的立体分解结构示意图;
图3:本实用新型较佳实施例的立体组合结构侧视示意图;
图4:本实用新型较佳实施例的储存座储存数量为三个的立体实施示意图;
图5:本实用新型较佳实施例的储存座储存数量为三个的俯视实施示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造