[实用新型]一种镀金银铕合金键合丝

说明书

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，具体涉及一种镀金银铕合金键合丝。

技术背景

目前用于集成电路、半导体分立器件等领域的引线封装键合丝最为广泛采用的是黄金类键合丝。由于黄金属贵重金属，价格昂贵且日益上涨，给用量最大的中低端LED、IC封装用户带来沉重的成本压力。因而业界急需成本相对低廉、性能稳定可靠的新型键合丝材料用以取代黄金键合丝。以高纯银为主体材料的镀金银铕合金键合丝既有银基类键合丝的优点又兼顾黄金类键合丝的优点，是一种价格相对低廉且性能又稳定可靠的一种新型键合丝。

发明内容

本实用新型的目的在于针对上述问题，提供了一种镀金银铕合金键合丝，它克服现有合金类键合铜丝、铝丝表面易氧化、高温稳定性差和拉拔断线问题，以及黄金类键合丝生产成本高等不足。

本实用新型的技术方案是，一种镀金银铕合金键合丝，主要包括主体和镀金层，其特征在于：所述主体为包含银和铕的合金材料制成的圆柱形结构；所述镀金层为镀在主体外表面、材质为纯金、横断面为环形的薄层。

进一步的，上述的镀金银铕合金键合丝，所述的主体横断面直径为0.8 mm -1.2mm。

进一步的，上述的镀金银铕合金键合丝，所述的镀金层厚度为0.9μm-1.4μm。

本实用新型的效果是：本实用新型相比现有合金类键合丝，其具有表面抗氧化性好、高温稳定性好、拉拔不易断线，以及生产成本更经济等特点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

在图中，1是主体， 2是镀金层。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本实用新型的技术方案作进一步的说明。

如图1所示，一种镀金银铕合金键合丝，主要包括主体1和镀金层2，所述主体1为包含银和铕的合金材料制成的圆柱形结构；所述镀金层2为镀在主体外表面、材质为纯金、横断面为环形的薄层。所述的主体横断面直径为1mm左右。镀金层厚度为1μm左右。

以上制成的镀金银铕合金键合丝，相比现有合金类键合丝，其表面抗氧化性和高温稳定性更好，拉拔不易断线，生产成本更低。