[实用新型]一种石墨烯光致发光基片

说明书

技术领域

本实用新型涉及光致发光材料领域，特别涉及一种石墨烯光致发光基片。

背景技术

固体发光是指电磁波、电能、机械能及化学能等作用到固体上而被转化为光能的现象。固体发光技术是近年来发展迅猛的一个领域，以半导体发光二极管(LED)为基础，加上光致发光材料制成的各种发光器件在照明以及显示等领域有着广泛的应用。

现有技术中通常是将光致发光材料直接涂覆在LED芯片表面，但是该技术只适用于对温度敏感度不高的光致发光材料，这是因为LED芯片在工作的时候表面温度较高，对于温度敏感度较高的光致发光材料，如色纯度很高的无机半导体材料，则会出现因为工作温度高而导致的光致发光材料发光性能下降的问题。虽然现在也有将光致发光材料置于离LED芯片一定距离上的远程激发技术，以解决光致发光材料过热的问题，但是这样一来也会带来成本大幅度上升、发光器件整体设计复杂等一系列问题，在实际应用中受到很大限制。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种石墨烯光致发光基片，本实用新型提供的石墨烯光致发光基片能够有效地使对热敏感的光致发光材料不受LED芯片工作时产生的高温的影响，从而使固体发光器件保持较高的发光性能，大大拓展了对热敏感的光致发光材料的使用范围。

本实用新型提供了一种石墨烯光致发光基片，具有夹芯结构，所述夹芯结构的芯层为光致发光材料层，所述夹芯结构的表层为石墨烯层。

优选的，所述石墨烯层的厚度为10～1000nm。

优选的，所述石墨烯层的厚度为50～900nm。

优选的，所述光致发光材料层的厚度为10～1000nm。

优选的，所述光致发光材料层的厚度为50～900nm。

优选的，所述石墨烯光致发光基片还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述石墨烯层外侧和/或所述石墨烯层与所述光致发光材料层之间。

优选的，所述绝缘层的厚度为10～1000nm。

优选的，所述绝缘层的厚度为50～900nm。

优选的，所述石墨烯光致发光基片包括以下结构：

与LED芯片接触的依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、第二绝缘层、光致发光材料层、第三绝缘层、第二石墨烯层、第四绝缘层；

或者依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、光致发光材料层、第二绝缘层、第二石墨烯层、第三绝缘层；

或者依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、第二绝缘层、光致发光材料层、第二石墨烯层、第三绝缘层；

或者依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、光致发光材料层、第二石墨烯层、第二绝缘层。

本实用新型提供了一种石墨烯光致发光基片，包括一层光致发光材料层和两层石墨烯层，所述光致发光材料层设置在两层石墨烯层之间。本实用新型采用石墨烯作为光致发光基片的保护层，是基于石墨烯具有优异的导热性能，且这种优异的导热性能只是在石墨烯层的平面之内，在不同的石墨烯层之间导热性能相对较差，这样的导热性可以保证石墨烯层将热量有效的传导出去，而不致影响到需要保护的光致发光材料；同时，石墨烯的致密度非常高，即使是最小的气体分子——氦分子(只由一个氦原子构成)也无法穿过，这样可以保证将氧气、水等可能会影响到光致发光材料性能的小分子与光致发光材料隔绝开，不致影响其发光性能；此外，石墨烯本身对光的吸收率低，如，单层石墨烯对可见光的吸收率只有2.3％，这样可以保证具有石墨烯保护层的光致发光基片不会对固体发光器件的发光性能有明显影响。因此，本实用新型提供的石墨烯光致发光基片能够在不对现有的以LED芯片为基础的固体发光器件制造工艺进行大幅度改造的情况下，大大拓展对热敏感的光致发光材料的使用范围。

附图说明

图1为石墨烯光致发光基片的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型提供了一种石墨烯光致发光基片，具有夹芯结构，所述夹芯结构的芯层为光致发光材料层，所述夹芯结构的表层为石墨烯层。

本实用新型提供的石墨烯光致发光基片具有夹芯结构，所述夹芯结构的芯层为光致发光材料层。作为本实用新型的一个实施例，所述光致发光材料层的厚度为10～1000nm，还可以为50～900nm，又可以为100～800nm，也可以为200～600nm。作为本实用新型的一个实施例，所述光致发光材料层中光致发光材料的发光范围为190～3000nm，还可以为350～2500nm，也可以为750～2000nm。