[实用新型]一种具有增强浪涌功能的保护芯片

说明书

【技术领域】

本实用新型芯片保护技术领域，特别涉及一种具有增强浪涌功能的保护芯片。

【背景技术】

瞬态抑制二极管简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两级受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度将两极的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位电压位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件(IC)免受各种浪涌脉冲的损坏。

但是目前，在电路里它需要承受1500W的浪涌能力，使用的封装是SMC(DO-214AB)，体积大，成本高，而且采用的是将两个芯片叠加在一起的封装结构，功率有时达不到1500W，性能较差，使用起来具有一定的局限性。

【实用新型内容】

本实用新型的主要目的在于提供一种具有增强浪涌功能的保护芯片，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种具有增强浪涌功能的保护芯片，包括壳体和引线，所述壳体的一侧卡接有第一引脚，所述壳体的另一侧卡接有第二引脚，所述壳体的中部卡接有第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片的夹缝处嵌接有铜粒。

进一步地，所述第一引脚通过引线连接于壳体的上部。

进一步地，所述第二引脚通过引线连接于壳体的下部。

进一步地，所述第一芯片和第二芯片的截面为矩形结构。

进一步地，所述壳体的形状为长方体，且壳体为密封结构。

进一步地，所述第一芯片和第二芯片之间大小相等，且相互平行。

进一步地，所述铜粒的材料为紫铜。

进一步地，所述铜粒为正方形结构。

进一步地，所述铜粒的边长为1.8mm。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：该种实用新型设计合理，使用方便，通过在两个芯片中间加一个铜粒来增强浪涌能力，而原来的芯片是尺寸为2.0mm的两个芯片叠加，功率达不到1500W，通过在中间加一个1.8MM的铜粒可以有效达到1500W，为此来提高保护芯片的浪涌能力，并使电子元器件保护的性能得到提升，而且该种封装结构，可以有效减小体积，并降低制造成本，简单方便，便于安装，适合广泛推广。

【附图说明】

图1为本实用新型的主视结构示意图。

图2为本实用新型的俯视结构示意图。

图3为本实用新型的立体结构示意图。

图中：1、第一引脚；2、壳体；3、第二引脚；4、第一芯片；5、引线；6、第二芯片；7、铜粒。

【具体实施方式】

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

如图1-3所示，一种具有增强浪涌功能的保护芯片，包括壳体2和引线5，所述壳体2的一侧卡接有第一引脚1，所述壳体2的另一侧卡接有第二引脚3，所述壳体2的中部卡接有第一芯片4和第二芯片6，所述第一芯片4和第二芯片6的夹缝处嵌接有铜粒7。

其中，所述第一引脚1通过引线5连接于壳体2的上部。

其中，所述第二引脚3通过引线5连接于壳体2的下部。

其中，所述第一芯片4和第二芯片6的截面为矩形结构。

其中，所述壳体2的形状为长方体，且壳体2为密封结构。

其中，所述第一芯片4和第二芯片6之间大小相等，且相互平行。

其中，所述铜粒7的材料为紫铜。

其中，所述铜粒7为正方形结构。

其中，所述铜粒7的边长为1.8mm。

需要说明的是，本实用新型为一种具有增强浪涌功能的保护芯片，通过在壳体2内部的第一芯片4与第二芯片6之间嵌接铜粒7，为此可以在原来第一芯片4与第二芯片6的叠加封装结构的基础上，提升保护芯片的浪涌能力至1500W，最后，操作者只需将壳体2上的第一引脚1与第二引脚3接入外接设备即可。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。