[实用新型]流体喷嘴

说明书

技术领域

本实用新型是有关一种流体喷嘴，属表面处理技术领域，具有较佳的表面处理功效。

背景技术

有关面板或金属蚀刻后段的表面清洁处理，以金属蚀刻为例，蚀刻是指借由化学药剂的侵蚀作用，将金属表面除去全部或部份的作业。目前蚀刻工业广泛运用于电子工业，诸如半导体装置晶圆，电路板等的制造…等。以中国台湾蚀刻专利为例，公告第M386597号用于软性基板蚀刻制程的载台(2010年08月11日专利公告数据参照)，该载台应用于软性基板卷对卷式线路蚀刻制程中，除蚀刻液喷洒处下方支撑软性基板外，更能令软性基板形成中间凸起两侧较低的弧曲面，借此高度差，令喷洒于弧曲状软性基板上的蚀刻液得以增加流动性，以减少积留于软性基板中央的水池现象，使软性基板进行蚀刻细微线路或图形的任何处均能达到全面性的均匀蚀刻效果。公告第M296469号蚀刻机的改良构造(2006年08月21日专利公告数据参照)，其包括有一机体、一喷雾器、一置物盘及一线性或曲线轨道，该机体上或下端设置可输送蚀刻喷液的导引件，该喷雾器设置于机体上或下端，并包括连接管及于一侧或两侧外伸连通有若干分岐管，其数分岐管则与置物盘的水平位移方向成一夹角，该置物盘设置于机体内部，其下或上具有旋转轴的座体、其上或下具有若干可贴在被蚀刻物上进行蚀刻的保护膜，该线性或曲线轨道设置于机体中，其上或下具有可供置物盘作线性移动的沟槽，借此，该蚀刻机的置物盘除旋转外并作适度的线性或曲线位移，令蚀刻喷液恒与被蚀刻物成直角，及由于被蚀刻物左右平移，故可免除死角，使得蚀刻作业为全方位，且被蚀刻物的上视图案的尺寸更均匀。由于喷射嘴喷射的蚀刻液易于蚀刻物表面形成一水池，称之为水池效应，水池效应易造成蚀刻不平均的现象，如何避免水池效应，乃成各业者亟待克服的难题。

中国台湾M406253号蚀刻装置专利，于蚀刻制程中，运用流速差异的原理，形成一类似真空吸引力，将喷射于待蚀刻物表面上的蚀刻药液，利用此一吸引力，将其带离待蚀刻物表面，以避免水池效应。其主要包括有多个喷射嘴，各喷射嘴管路连结供给喷射嘴蚀刻药液的喷射动力源，另包括有多个吸引风刀，各吸引风刀管路连结提供吸引风刀吸引力的吸引装置及循环动力源，前述吸引装置包括有一三通管，该三通管具有呈直线设置的第一管体、第二管体，第一管体与第二管体间具有向外侧连通的第三管体，该第一管体连结循环动力源，第二管体连结蚀刻药液槽，第三管体则连结吸引风刀，且第一管体具有外大内小的锥形口，第二管体具有内小外大的锥形口，具有极佳的吸引效果，能有效摒除水池效应。惟由于在3C产品小型化设计趋势下，蚀刻后线路间的间隙越来越小，细小间隙间的蚀刻残留物或蚀刻液，不易完全清理，为其缺点。

常见的二流体喷嘴请参阅图1所示，其主要包括有一本体A，本体A内隔设有第一容间B及第二容间C，第一容间B及第二容间C下方贯通设有混合容间D，混合容间D下方设有喷嘴心E，前述第一容间B具有高压气体入口F，第二容间C设有处理液入口G，在做蚀刻或清洁处理时，高压气体及处理液是先于混合容间D中混合，混合完毕后再由喷嘴心E向下喷出。惟此种结构的二流体喷嘴，由于高压气体及处理液是一起混合，无法有效控制雾化效果，高压气体太大时处理液无法喷出来，处理液压力太大时，没有雾化效果，仅有处理液喷出。再者，高压气体逆流容易产生泡沫，处理液逆流则容易污染管路，为其缺点。如何改善前述二流体喷嘴的缺点，以运用于清洁处理细小间隙间的蚀刻残留物或蚀刻液，为业界亟待克服的难题。

本创作人鉴于常见技术的缺点，经不断研究、改进后，终有本实用新型的研创成功，公诸于世。

发明内容

本实用新型的主要目的是在于：提供一种流体喷嘴，能有效控制雾化效果并改善管路污染的喷嘴结构，去除水池效应，能有效清理细小间隙间的蚀刻残留物或蚀刻液。

为达上述目的，本实用新型一种流体喷嘴，包括有一本体，其特征在于：本体中央具有第一容间，第一容间外缘设有第二容间，第一容间上端具有第一流体入口，下端具有第一流体出口，流体出口端设有喷嘴心，第二容间上端具有第二流体入口，下端具有第二流体出口，前述第一流体入口连结第一流体供应装置，第二流体入口连结第二流体供应装置。

本实用新型的功效在于：第一流体为高压气体，第二流体为液态处理液，借由第一流体供应装置提供的第一流体进行第一次处理，同时再加入第二流体供应装置提供不同的第二流体进行第二次处理，具有较佳的处理功效。

附图说明

图1是常见二流体喷嘴示意图。

图2是本实用新型流体喷嘴示意图。

具体实施方式