[实用新型]一种复合磁场传感器

权利要求书

1.一种复合磁场传感器，其特征在于，所述复合磁场传感器包括用于检测较强磁场的磁敏三极管和用于检测弱磁场的遂穿磁敏电阻(TMR)，其中，所述遂穿磁敏电阻(TMR)复合在所述磁敏三极管上，形成所述复合磁场传感器；其中，

所述磁敏三极管包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，所述第一硅片(1)的厚度为30μm，所述第二硅片(2)的厚度为400～425μm，其中，在第一硅片(1)上制作有发射区、集电区和基区，所述基区为硅腐蚀坑，其深度为20～30μm；

所述遂穿磁敏电阻(TMR)为三层膜结构；

所述较强磁场指1～10000G_S的磁场，所述弱磁场指0.001～1G_S的磁场。

2.根据权利要求1所述的复合磁场传感器，其特征在于，所述基区为硅腐蚀坑，其深度为30μm。

3.根据权利要求1所述的复合磁场传感器，其特征在于，在发射区、集电区和基区表面蒸镀Al引线，分别形成发射极(E)、集电极(C)和基极(B)。

4.根据权利要求1所述的复合磁场传感器，其特征在于，所述三层膜结构自下往上依次包括第一磁性材料层、绝缘层和第二磁性材料层。

5.根据权利要求1所述的复合磁场传感器，其特征在于，

在第一硅片(1)的下表面制作有发射区，所述发射区为n⁺型掺杂，通过对第二硅片(2)刻蚀，进行发射区引线槽的制作，引线槽深度400～425μm；和/或

在第一硅片(1)的上表面、发射区的对侧制作有集电区，所述集电区为n⁺型掺杂；和/或

在第一硅片(1)的上表面、集电区的一侧制作有基区，所述基区为p⁺型掺杂。

6.根据权利要求5所述的复合磁场传感器，其特征在于，在第一硅片(1)的上表面、集电区的另一侧制作有负载电阻(R_L)；和/或

在第一硅片(1)的下表面、且在发射区和基区之间制作有深能级杂质复合区(F)。

7.根据权利要求6所述的复合磁场传感器，其特征在于，

所述负载电阻(R_L)为n^-型掺杂；和/或

在复合区(F)的下表面引入深能级杂质，所述深能级杂质为金。

8.根据权利要求7所述的复合磁场传感器，其特征在于，所述基区的内侧面所在的平面与基区的底面所在的平面之间的夹角为5～15°。

9.根据权利要求8所述的复合磁场传感器，其特征在于，所述基区的内侧面所在的平面与基区的底面所在的平面之间的夹角为5～10°。

10.根据权利要求1至9之一所述的复合磁场传感器，其特征在于，在进行磁场检测时，

负载电阻(R_L)和遂穿磁敏电阻(TMR)分别与电源(V_DD)连接；

所述磁敏三极管的集电极(C)与负载电阻(R_L)连接，基极(B)与遂穿磁敏电阻(TMR)连接，发射极(E)接地。