[实用新型]一种电源单元的输出电压采样电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电源产品领域，具体地说涉及一种电源单元的输出电压采样电路。

背景技术

在一些特殊的应用场合，如航空、航天、军工等，在电源模块为储能原件充满电荷后，电源模块关电，之后由储能原件为下一级负载供电，同时电源模块与储能原件长期级联，而且有时整个系统需要长时间处于休眠状态。普通模块电源由于输出采样电路等的存在会在电源模块关电后产生对储能原件的放电回路，即产生漏电流。如何有效降低储能元件在电源模块输出端的漏电流，是确保储能元件能够长期有效正常工作及系统长期休眠后成功唤醒的关键性因素。

电源模块与储能元件的级联框图如图1所示，当储能元件充满电荷后，电源模块关电，储能单元通过电源的输出采样电阻R1和电阻R2缓慢放电，产生漏电流，长时间的放电，将造成储能元件馈电，无法正常为下一级负载提供能量。

目前常用的减小漏电流通常做法有：方法1)加大采样电阻；一般将电阻由kΩ级电阻增加至MΩ级电阻，从而使漏电流由mA级降低为uA级。该方法的缺点是采样电阻级数过大，会造成采样精度受损，严重时导致整定电压超出要求范围；同时电阻级数过大，会导致阻尼过大，严重影响模块的控制环路性能，不能满足要求；方法2)电源模块与储能元件之间串接二极管。如图2所示，此时漏电流完全由所串联二极管D1的漏电流特性决定，漏电流特性得到很好的提升。该方法的缺点是二极管导通压降较高，可以达到1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管(SBD)，也会产生大约0.6V的压降，并且该电压随着二极管节温的变化严重漂移，导致储能元件上得到的电压超出要求范围，并且二极管固有压降会引起非常大的损耗，该损耗产生的热能导致二极管甚至整个电源的温度上升，从而大大降低使用寿命，且功率二极管的体积大、成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的上述不足，提供了一种用于降低电源单元输出侧漏电流的用于电源单元的输出电压采样电路，解决了现有技术的储能单元通过电源的采样电路缓慢放电产生漏电流，长时间的放电造成储能元件馈电，无法正常为下一级负载提供能量的问题。

为实现以上目的，本实用新型提供了如下技术方案：

一种电源单元的输出电压采样电路，电源单元包括主功率部分和控制部分，控制部分连接并控制主功率部分，电源单元的输出侧连接储能单元，输出电压采样电路的采样回路中串接可控开关管。

优选地，可控开关管为N沟道增强型MOSFET管Q1，所述输出电压采样电路还包括采样电阻R1和采样电阻R2；控制部分的第一采样端通过采样电阻R1后连接主功率部分输出端的正极，主功率部分输出端的正极串联采样电阻R1和采样电阻R2后连接N沟道增强型MOSFET管Q1的漏极，N沟道增强型MOSFET管Q1的栅极连接控制部分的第二采样端，N沟道增强型MOSFET管Q1的源极连接主功率部分输出端的负极。

与现有技术相比，本实用新型提供的一种电源单元的输出电压采样电路，具有以下有益效果：

本实用新型提供的电源单元的输出电压采样电路解决了现有技术中加大采样电阻方法而造成采样电阻级数过大，采样精度受损，严重时导致整定电压超出要求范围；严重影响电源模块的控制环路性能的问题；并解决了通过在电源模块与储能元件之间串接二极管方法而造成电压随着二极管节温的变化严重漂移，并导致储能元件上得到的电压超出要求范围，从而引起非常大的损耗，大大降低使用寿命的问题。本实用新型提供的电源单元的输出电压采样电路结构简单易于实现、器件少、体积小、占用空间小，只需要信号级的开关管，成本低廉；既能保证输出电压的精度要求，又能大大的降低漏电流，确保储能元件能够长期有效储能。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是现有技术中电源模块与储能元件的级联框图；

图2是现有技术电源单元的输出电压采样电路的结构示意图；

图3是本实用新型实施例电源单元的输出电压采样电路的结构示意图。

具体实施方式