[实用新型]光学传感器封装体以及电子设备有效
| 申请号: | 201720459774.X | 申请日: | 2017-04-27 | 
| 公开(公告)号: | CN207303097U | 公开(公告)日: | 2018-05-01 | 
| 发明(设计)人: | L·P·L·雷纳德;洪清礼 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 | 
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华,吕世磊 | 
| 地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光学 传感器 封装 以及 电子设备 | ||
1.一种光学传感器封装体,其特征在于,包括:
衬底;
图像传感器裸片,所述图像传感器裸片耦合至所述衬底,所述图像传感器裸片包括:
第一表面,所述第一表面耦合至所述衬底,
第二表面,
凹陷,所述凹陷从所述第一表面朝所述第二表面延伸进入所述图像传感器裸片,所述凹陷与所述衬底的表面形成空腔,以及
透光层,所述透光层形成在所述第一表面处并且面向所述凹陷;以及
发光器件,所述发光器件耦合至所述衬底并且安置在所述空腔内。
2.如权利要求1所述的光学传感器封装体,其特征在于,所述图像传感器裸片的所述透光层包括光衍射层。
3.如权利要求1所述的光学传感器封装体,其特征在于,所述图像传感器裸片由硅形成,其中,所述图像传感器裸片的所述透光层由所述图像传感器裸片的所述硅形成。
4.如权利要求1所述的光学传感器封装体,其特征在于,所述图像传感器裸片的所述透光层是被配置成用于接收控制信号并作为响应改变所述透光层的一个或多个光学特性的有源层。
5.如权利要求4所述的光学传感器封装体,其特征在于,所述一个或多个光学特性包括衍射、折射率和偏振特性中的至少一个。
6.如权利要求1所述的光学传感器封装体,其特征在于,所述发光器件包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)和发光二极管(LED)中的至少一个。
7.如权利要求1所述的光学传感器封装体,其特征在于,所述凹陷是台阶式凹陷,所述台阶式凹陷包括第一凹陷和小于所述第一凹陷的第二凹陷,其中,所述发光器件被安置在由所述第一凹陷形成的所述空腔内,其中,所述透光层界定所述第二凹陷的底表面。
8.如权利要求7所述的光学传感器封装体,其特征在于,进一步包括被安置在所述图像传感器裸片的侧表面周围并覆盖所述图像传感器裸片的所述第二表面的至少一部分的帽盖,所述帽盖具有侧壁和内壁,所述内壁将所述发光器件与所述图像传感器裸片的图像传感器区域光学地分隔开。
9.如权利要求8所述的光学传感器封装体,其特征在于,所述图像传感器裸片进一步包括参考传感器,所述参考传感器形成在所述第二表面中并被配置成用于接收所述发光器件发射的并从所述帽盖的内表面反射的光。
10.一种电子设备,其特征在于,包括:
微处理器;以及
光学传感器封装体,所述光学传感器封装体耦合至所述微处理器,所述光学传感器封装体包括:
衬底;
图像传感器裸片,所述图像传感器裸片耦合至所述衬底,所述图像传感器裸片由硅制成,所述图像传感器裸片包括:
第一表面,所述第一表面耦合至所述衬底,
第二表面,所述第二表面包括图像传感器区域,
凹陷,所述凹陷从所述第一表面朝所述第二表面延伸进入所述图像传感器裸片,所述凹陷与所述衬底的表面形成空腔,以及透光层,所述透光层形成在所述第一表面处并且面向所述凹陷;
发光器件,所述发光器件耦合至所述衬底并被安置在所述图像传感器裸片中的所述空腔内;以及
帽盖,所述帽盖被安置在所述图像传感器裸片的侧表面周围并覆盖所述图像传感器裸片的所述第二表面的至少一部分,所述帽盖具有侧壁和内壁,所述内壁将所述发光器件与所述图像传感器区域光学地分隔开。
11.如权利要求10所述的电子设备,其特征在于,所述透光层包括具有一个或多个可变光学特性的有源透光层。
12.如权利要求10所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备是手机、智能电话、平板计算机、相机和可穿戴计算设备中的至少一个。
13.一种光学传感器封装体,其特征在于,包括:
衬底;
图像传感器裸片,所述图像传感器裸片耦合至所述衬底,所述图像传感器裸片包括:
第一表面,所述第一表面耦合至所述衬底,
第二表面,
凹陷,所述凹陷从所述第一表面朝所述第二表面延伸进入所述图像传感器裸片,所述凹陷与所述衬底的表面形成空腔,以及
贯通开口,所述贯通开口形成在所述第一表面与所述凹陷之间;以及
发光器件,所述发光器件耦合至所述衬底并被安置在所述空腔内,所述发光器件被配置成用于发射光通过所述开口。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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