[实用新型]基座载台、基座组件及研磨装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备技术领域，特别是涉及一种基座载台、基座组件及研磨装置。

背景技术

化学机械研磨法(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是达成全局平坦化的最佳方法，尤其在半导体制作工艺进入亚微米领域后，化学机械研磨已成为一项不可或缺的制作工艺技术。

化学机械抛光工艺的过程主要包括晶圆被一个可活动的研磨头压在研磨垫上，晶圆和研磨垫同时转动，同时配合研磨性和腐蚀性的抛光液。在这个过程中晶圆表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦。现有的化学机械研磨装置包括研磨头组件以及基座组件，当所述研磨头组件具有装载晶圆任务时，所述基座系统提供一个晶圆装载和卸载的中转站，以及对放置在所述基座组件上的晶圆实施清洗动作。

在工艺提升的过程中，研磨后出现了之前工艺未曾出现过的“奔驰标志”形状的缺陷，这需要通过机台的改良来解决。当下的基座载台表面容易积水，积水来自研磨头清洗用水，晶圆表面与基座载台接触时会有挤压力(如30psi)，同时发生化学反应产生奔驰状缺陷。

因此，如何提供一种能快速排掉研磨头清洗水，同时不影响基座载台向上推顶晶圆的功能的基座载台实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种基座载台、基座组件及研磨装置，用于解决现有技术中在基座载台上形成“奔驰标志”形状的缺陷的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种基座载台，所述基座载台包括：中心部、位于所述中心部外围的边缘环形部、以及连接所述中心部与所述边缘环形部的若干个连接部；其中，所述中心部内设置有上下贯穿的排水孔，所述连接部内设置有上下贯穿的通孔。

作为本实用新型的一种优选方案，所述中心部的中心、所述边缘环形部的中心以及所述排水孔的中心重合。

作为本实用新型的一种优选方案，所述中心部的形状为正多边形或圆形。

作为本实用新型的一种优选方案，所述连接部的数量至少为3个，且所述连接部沿所述中心部的周向均匀分布。

作为本实用新型的一种优选方案，所述连接部包括连接部本体以及设置于所述连接部本体表面的若干个凸部，其中，所述凸部之间形成流道，所述通孔设置于所述流道内。

作为本实用新型的一种优选方案，所述凸部平行间隔分布，并沿所述连接部长度方向延伸，且所述凸部的长度与所述连接部本体的长度相同。

作为本实用新型的一种优选方案，所述凸部的上表面呈弧形。

作为本实用新型的一种优选方案，所述通孔沿所述流道的长度方向分布。

作为本实用新型的一种优选方案，所述通孔沿所述流道的长度方向呈单排均匀分布。

作为本实用新型的一种优选方案，所述流道的上表面自靠近所述边缘环形部的一侧至靠近所述中心部的一侧逐渐降低，且其靠近所述中心部一侧的上表面不低于所述中心部的上表面。

本实用新型还提供一种基座组件，所述基座组件包括基座本体以及位于所述基座本体上的如上述任一方案所述的基座载台。

本实用新型还提供一种研磨装置，所述研磨装置包括研磨头组件以及如上述方案所述的基座组件。

如上所述，本实用新型的基座载台、基座组件及研磨装置，在具体操作过程中，具有如下有益效果：

本实用新型提供的基座载台在不影响该基座载台向上推顶晶圆的功能的前提下，能快速洗掉研磨清洗水，防止“奔驰标志”形状的缺陷形成。

附图说明

图1显示为一种基座载台的结构示意图。

图2显示为本实用新型提供的基座载台的结构示意图。

图3显示为本实用新型提供的基座载台的结构示意图。

图4显示为本实用新型提供的基座载台连接部的结构示意图。

图5显示为图4结构的A-A截面示意图。

图6显示为本实用新型提供的基座载台流道的结构示意图。

元件标号说明

11边缘环形部

12连接部

121 通孔

13中心部

21边缘环形部

22连接部

221 通孔

222 凸部

223 流道

224 连接部本体

23中心部

231 排水孔

具体实施方式