[实用新型]LED可持续等光强照明集成控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及的LED可持续等光强照明集成控制电路。

背景技术

LED灯在长时间使用的情况下，性能会逐渐下降，导致电阻增大，在相同驱动电压下，流过LED的电流逐渐衰减，光照强度逐渐减小，LED会产生光衰；在大多数设计中，LED灯是由BJT或者MOSFET等驱动管控制流过灯的电流，通过改变这些驱动管的驱动电压，可以调节流过LED灯的电流。

掩埋双PN结光电二极管，由两个垂直堆叠的不同深度的二极管构成。光照下输出电流大小与入射光功率成线性关系，可以作为光探测器用于光照强度的测量。

基于微电子技术的LED可持续等光强照明集成控制电路，采用CMOS工艺，在大大缩小电路体积的同时，可提高弱信号的检测精度，并将控制电路与掩埋双PN结光电二极管光电流传感单元单片集成。

发明内容

本实用新型要克服现有技术的上述缺点，提供一种LED可持续等光强照明集成控制电路。

本实用新型将照明控制技术与微电子技术相结合，设计了一种LED可持续等光强照明集成控制电路，该控制电路采用CMOS工艺将控制电路与掩埋双PN结光电二极管光电流传感单元单片集成，可以实时监测LED的光照强度，并根据光强改变输出电压，实现对LED驱动电压的控制，从而达到改变LED灯光照强度的目的。

本实用新型所述LED可持续等光强照明集成控制电路，由LED光强探测电路1、电流电压转换电路2、电位平移缓冲电路3、电压比较放大电路4、低通滤波电路5所组成。

所述LED光强探测电路1中，输出端与电流电压转换电路2的输入端连接；

LED光强探测电路1由浅PN结光电二极管D1和深PN结光电二极管D2组成；所述浅PN结光电二极管D1和所述深PN结光电二极管D2是PNP的堆叠结构，所述浅PN结光电二极管D1和所述深PN结光电二极管D2阳极共用N结，并作为输出端输出两个PN结的光电流之和I₁+I₂，所述浅PN结光电二极管D1和所述深PN结光电二极管D2阴极都接地；

所述电流电压转换电路2中，输入端与LED光强探测电路1的输出端相连，输出端与电位平移缓冲电路3的输入端连接；

电流电压转换电路2由PMOS管P1、P2、P3、P4和NMOS管N1组成；所述PMOS管P1源极接电源VDD，栅漏短接，漏极连所述PMOS管P3源极，所述PMOS管P3栅漏短接，漏极作为该电流电压转换电路2的输入端，所述PMOS管P2源极接电源VDD，栅极接所述PMOS管P1栅极，漏极连所述PMOS管P4源极，所述PMOS管P4栅极接所述PMOS管P3栅极，漏极连所述NMOS管N1漏极，所述NMOS管N1栅极接电源VDD，源极接地，漏极为该电流电压转换电路2的输出端；

所述电位平移缓冲电路3中，输入端接电流电压转换电路2的输出端，第一、二输出端分别与电压比较放大电路4的第一、二输入端相连；

电位平移缓冲电路3由PMOS管P5、P6、P7和NMOS管N2、N3组成；所述PMOS管P5源极接电源VDD，栅极接所述PMOS管P6栅极，漏极接所述PMOS管P7源极，所述PMOS管P7漏极接地，源极和栅极分别作为该电位平移缓冲电路3的第一输出端和输入端，所述PMOS管P6源极接电源VDD，栅漏短接，漏极连所述NMOS管N2漏极，所述NMOS管N2栅漏短接，源极接所述NMOS管N3漏极，所述NMOS管N3栅漏短接，源极接地，栅极作为该电位平移缓冲电路3的第二输出端；

所述电压比较放大电路4中，第一、二输入端分别连电位平移缓冲电路3的第一、二输出端，输出端连低通滤波电路5输入端；

电压比较放大电路4由PMOS管P8、P9和NMOS管N4、N5、N6以及电阻R1、R2组成；所述PMOS管P8源极接电源VDD，栅极连所述PMOS管P9栅极，漏极连所述NMOS管N4漏极，所述NMOS管N4源极接所述NMOS管N6漏极，栅极和源极分别作为该电压比较放大电路4的第一输入端和输出端，所述NMOS管N6源极接地，栅极作为该电压比较放大电路4的第二输入端，所述PMOS管P9源极接电源VDD，栅漏短接，漏极接所述NMOS管N5漏极，所述NMOS管N5源极接所述NMOS管N6漏极，所述电阻R1一端接电源VDD，另一端接所述NMOS管N5栅极，所述电阻R2一端接地，另一端也连所述NMOS管N5栅极；

所述低通滤波电路5中，输入端连电压比较放大电路4的输出端，控制信号从输出端Vout输出，该输出端可以接LED的驱动元件；