[实用新型]纹波抑制电路和包括该纹波抑制电路的电压转换器

说明书

技术领域

本实用新型涉及电压转换技术领域，尤其涉及一种纹波抑制电路和包括该纹波抑制电路的电压转换器。

背景技术

电压转换器能够将输入的交流电压转换为直流电压，并输出给用电器。在一个典型的使用场景中，电压转换器例如可以是电子镇流器，其可以将交流电压形式的网电压转换为直流电压，并输出给发光二极管(Light-emitting Diode，LED)等用电器。

在实际应用中，通过电压转换器输出的直流电压中会包含一定的交流成分，从而产生输出纹波。目前，一般可以通过设置包含场效应晶体管(Field Effect Transistor，FET，以下简称为场效应管)的输出电路进行抑制。图1是现有的电压转换器的电路结构图。如图1所示，该电压转换器是一反激式转换器(Flyback Converter)，方框内所示的波纹抑制电路包括场效应管，其中，输入电容电压Vbus是包含交流成分(纹波)的直流源，C52、C53、C54为滤波电容；电容C51上的电压等于Vbus的最大值减去二极管D53、D54压降，输出端电压(+LED--LED)等于电容C51上的电压减去场效应管M51的gs压降(即电压Vgs)。选择合适的D54稳压值，使D53、D54压降以及M51的gs压降之和等于C52的纹波峰峰值，由于M51的增益很大，需要的驱动电流很小，C51上的电压基本保持不变，所以纹波电压基本上降落在M51上，输出端+LED基本上只输出直流部分，达到消除纹波的目的。另外，D55是稳压二极管，用于限制M51的电压Vgs，避免M51因电压Vgs过高而损坏。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本实用新型的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

实用新型内容

本实用新型的发明人发现，在现有的纹波抑制电路中，由于需要设置高额定电流的场效应管，使得制造成本较高，另外，场效应管的电压Vgs的偏离将导致很大的输出纹波偏离，另外，为了在批量生产中达到一致的纹波抑制效果，需要使场效应管上的压降覆盖Vgs的最大偏离值，因此，使用场效应管将导致较高的功率损失，需要设置额外的铜片，从而导致制造成本进一步增加。

本实用新型实施例提供一种纹波抑制电路和包括该纹波抑制电路的电压转换器，其不需要使用场效应管，而是采用了价格低廉的晶体三极管，从而能够降低制造成本，并且，由于晶体三极管对于电压Vbe的容忍度比场效应管对于电压Vgs的容忍度高，因此能够对输出纹波进行精确的控制。

根据本实用新型实施例的第一方面，提供一种纹波抑制电路，其中，所述纹波抑制电路包括第一晶体三极管、第二晶体三极管和第三晶体三极管，所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管串联而构成为达林顿管，所述第三晶体三极管与由所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管构成的所述达林顿管并联，对所述达林顿管的开闭进行控制。

根据本实用新型实施例的第二方面，其中，所述第一晶体三极管、所述第二晶体三极管和所述第三晶体三极管是双极型晶体三极管。

根据本实用新型实施例的第三方面，其中，所述第一晶体三极管、所述第二晶体三极管和所述第三晶体三极管是NPN双极型晶体三极管。

根据本实用新型实施例的第四方面，其中，所述纹波抑制电路还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管、第二二极管以及电容，其中，所述第一电阻和所述电容串联连接于所述纹波抑制电路的输入电压的正负极之间，所述电容与接地端连接，所述第一二极管和所述第二二极管串联连接后与所述第一电阻并联连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第二电阻的一端和所述第二二极管的正极连接，另一端和所述第二晶体三极管的基极以及所述第三晶体三极管的集电极连接，所述第一晶体三极管的基极和所述第二晶体三极管的发射极连接，所述第一晶体三极管的集电极和所述第一二极管的正极以及所述第二晶体三极管的集电极连接，所述第三晶体三极管的基极经由所述第五电阻与所述第一晶体三极管的发射极连接，所述第三电阻和所述第四电阻并联后连接在所述第一晶体三极管的发射极和所述第三晶体三极管的发射极之间。

根据本实用新型实施例的第五方面，其中，所述电容是电解电容，所述第二二极管是稳压二极管。