[实用新型]一种显示面板和显示装置有效
申请号: | 201720444301.2 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN206650080U | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 于泉鹏;刘雪宁;李喜烈;刘聪慧 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板,所述基板包括显示区和非显示区,所述非显示区围绕所述显示区;
有机发光部件,所述有机发光部件设置于所述基板的第一侧,所述显示区内设置有所述有机发光部件;
薄膜封装层,所述薄膜封装层覆盖所述有机发光部件,所述薄膜封装层包括至少一有机层和至少一无机层;
沿远离所述有机发光部件的方向依次设置的第一阻隔物和第二阻隔物,所述第一阻隔物和所述第二阻隔物位于所述非显示区且与所述有机发光部件位于所述基板的同一侧,所述第一阻隔物位于所述第二阻隔物与所述有机发光部件之间,所述第一阻隔物的高度小于所述第二阻隔物的高度;
凹槽,所述凹槽与所述有机发光部件位于所述基板的同一侧,且设置于所述第一阻隔物与所述有机发光部件之间,所述凹槽容纳有所述有机层,所述有机层的边界位于所述第一阻隔物与所述凹槽之间;
触控电极线,所述触控电极线与所述第一阻隔物发生重叠的部分位于所述第一阻隔物远离所述基板的一侧,所述触控电极线跨过所述第一阻隔物与触控驱动电路电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述触控电极线位于所述有机层远离所述基板的一侧。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述有机发光部件远离所述基板的一侧还设置有触控电极;
所述触控电极位于所述薄膜封装层的至少一所述有机层或至少一所述无机层远离所述基板的一侧。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述触控电极包括位于同一层的多个触控电极块,所述多个触控电极块呈阵列排布;
所述触控电极为自容式触控电极。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述触控电极包括触控感测电极和触控驱动电极,所述触控感测电极与所述触控驱动电极绝缘。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述触控感测电极和所述触控驱动电极同层绝缘设置。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述触控感测电极和所述触控驱动电极之间至少间隔一层有机绝缘层或一层无机绝缘层。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述触控驱动电路与所述有机发光部件位于所述基板的同一侧,且设置于所述第二阻隔物与所述第一阻隔物之间。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述触控驱动电路与所述有机发光部件位于所述基板的同一侧,所述第二阻隔物位于所述触控驱动电路与所述第一阻隔物之间;
所述触控电极线与所述第二阻隔物发生重叠的部分位于所述第二阻隔物远离所述基板的一侧。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜封装层包括依次层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层,所述第一无机层位于所述有机层与所述有机发光部件之间,所述有机层位于所述第一无机层与所述第二无机层之间;
所述第一无机层的边界和所述第二无机层的边界分别位于所述第一阻隔物与所述第二阻隔物之间。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述基板的所述第一侧的栅极驱动电路和源极驱动电路,所述栅极驱动电路和/或所述源极驱动电路位于所述凹槽与所述有机发光部件之间。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一阻隔物对所述有机发光部件构成环绕。
13.根据权利要求1或12所述的显示面板,其特征在于,所述第二阻隔物对所述第一阻隔物构成环绕。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽至少存在一个垂直截面的截面形状为矩形、梯形或半圆形,所述垂直截面的法线方向与所述基板所在平面的法线方向互相垂直。
15.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-14中任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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