[实用新型]HMDS涂布设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，特别是，涉及一种HMDS涂布设备。

背景技术

HMDS，即六甲基二硅胺，是半导体光刻工艺中一种常见的耗材。HMDS是一种易挥发的化学品，传送到工艺腔的HMDS是以气态形式存在的，其均匀附着在晶圆表面，形成HMDS膜层。现有技术中，涂布过程一般先在氮气的保护下对晶圆进行加热，同时通入HMDS进行涂布，但由于前期氮气的通入，为了保证HMDS的浓度及扩散效果，必须增加HMDS的通入量，才能使其浓度达到一定范围，这样势必造成HMDS的浪费，且HMDS为有害气体，过高浓度的排放会对环境造成严重破坏。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种HMDS涂布设备，其保证涂布效果的同时，有效减少HMDS的使用量，避免了废气中HMDS对环境的危害。

为解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案如下：

一种HMDS涂布设备，包括壳体，所述壳体内构成涂布腔，所述涂布腔内设置有加热件，还包括用于向涂布腔内输送氮气的第一管道，用于向涂布腔内输送HMDS蒸汽与氮气混合气体的第二管道，用于向涂布腔内输送空气的第三管道，用于从涂布腔向外排气的排气管道和用于对涂布腔抽真空的抽真空管道，所述抽真空管道上设置有真空泵，所述第一管道、第二管道、第三管道、排气管道和抽真空管道分别与涂布腔连通。

优选的，所述第一管道上设置有第一阀门，所述第二管道上设置有第二阀门，所述第三管道上设置有第三阀门，所述排气管道上设置有排气阀门，所述抽真空管道上设置有真空阀门。

优选的，所述第一管道和第二管道通过第一中继管与涂布腔连通。

优选的，所述排气管道和抽真空管道通过第二中继管与涂布腔连通。

优选的，所述第一中继管和第二中继管分别位于壳体相对的两侧。

相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：本实用新型中通过真空泵两次抽真空处理，分别减少氮气的使用，避免过多氮气对HMDS浓度造成影响，且将含HMDS的废气抽离，进行集中处理，减少了对环境的危害。

附图说明

图1为本实用新型中HMDS涂布设备的结构示意图；

其中，1为壳体、11为涂布腔、2为加热件、3为第一管道、31为第一阀门、4为第二管道、41为第二阀门、5为第三管道、51为第三阀门、6为排气管道、61为排气阀门、7为抽真空管道、71为真空泵、72为真空阀门、81为第一中继管、82为第二中继管、9为晶圆。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

如图1所示，为本实用新型较优实施例中一种HMDS涂布设备，包括壳体1，壳体1内构成涂布腔11，涂布腔11内设置有加热件2，还包括用于向涂布腔11内输送氮气的第一管道3，用于向涂布腔11内输送HMDS蒸汽与氮气混合气体的第二管道4，用于向涂布腔11内输送空气的第三管道5，用于从涂布腔11向外排气的排气管道6和用于对涂布腔11抽真空的抽真空管道7，抽真空管道7上设置有真空泵71，第一管道3、第二管道4、第三管道5、排气管道6和抽真空管道7分别与涂布腔11连通。使用时，将晶圆放置在涂布腔11内的加热件2上，将第一管道3、第二管道4、第三管道5和排气管道6关闭，抽真空管道7开启，经真空泵71对涂布腔11进行抽真空处理，此时，加热件2进行加热，将晶圆上水分蒸发，由于处于真空环境，晶圆上水分蒸发更快；待晶圆干燥后，关闭抽真空管道7，第三管道5和排气管道6保持关闭，同时打开第一管道3、第二管道4，向涂布腔11内充入混合有HMDS的氮气，此时，较低浓度的HMDS即可实现在涂布腔11内的快速均匀分布；待混合有HMDS的氮气充满涂布腔后，打开排气管道6，保持第一管道3、第二管道4开启，对涂布腔11内晶圆进行涂布，直至完成涂布；关闭第一管道3、第二管道4和排气管道6，开启抽真空管道7，对涂布腔11内进行抽真空，将含有HMDS的废气全部抽离，减少废气的外泄；最后，关闭抽真空管道7，开启第一管道3、第三管道5和排气管道6，对涂布腔11内空气进行净化，完成一个涂布周期。通过真空泵71两次抽真空处理，分别减少氮气的使用，避免过多氮气对HMDS浓度造成影响，且将含HMDS的废气抽离，进行集中处理，减少了对环境的危害。