[实用新型]具有全局快门相位检测像素的成像系统有效
申请号: | 201720438300.7 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN206727072U | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | V·兰臣克夫;U·博提格 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 全局 快门 相位 检测 像素 成像 系统 | ||
1.一种具有像素阵列的图像传感器,其中所述像素阵列包括:
具有被第一微透镜覆盖的第一光电二极管的第一全局快门相位检测像素;
具有被第二微透镜覆盖的第二光电二极管的第二全局快门相位检测像素;
覆盖所述第一光电二极管的至少一部分和所述第二光电二极管的至少一部分的屏蔽层;以及
形成在所述屏蔽层下面的电荷存储区,其中所述屏蔽层屏蔽所述电荷存储区免受入射光。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述屏蔽层对于可见光是不透明的。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述屏蔽层由吸收材料形成。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中所述屏蔽层包含钨。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述屏蔽层包括背面沟槽隔离。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中所述屏蔽层涂覆有抗反射涂层。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中所述屏蔽层涂覆有吸收涂层。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述屏蔽层覆盖所述第一光电二极管的大约一半以及所述第二光电二极管的大约一半。
9.一种图像传感器,包括:
具有第一相对侧和第二相对侧的硅衬底;
形成在所述硅衬底中的用于第一相位检测像素的第一光电二极管;
形成在所述硅衬底中的用于第二相位检测像素的第二光电二极管;
形成在所述硅衬底中的从所述硅衬底的所述第一侧朝向所述硅衬底的所述第二侧延伸的沟槽;
形成在所述沟槽中的屏蔽层,以及
形成在所述硅衬底中的全局快门存储区,其中所述屏蔽层与所述全局快门存储区重叠。
10.一种图像传感器,包括:
具有前面和相对的背面的衬底;
形成在所述衬底中的用于第一相位检测像素的第一光电二极管;
形成在所述衬底中的用于第二相位检测像素的第二光电二极管;
所述衬底的所述背面上的覆盖所述第一光电二极管的第一微透镜;
所述衬底的所述背面上的覆盖所述第二光电二极管的第二微透镜;
形成在所述衬底中的从所述衬底的所述背面朝向所述衬底的所述前面延伸的背面沟槽隔离,其中所述背面沟槽隔离与所述第一光电二极管和所述第二光电二极管重叠;以及
形成在所述衬底中的存储区,其中所述背面沟槽隔离屏蔽所述存储区免受入射光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的