[实用新型]一种温度自补偿的化合物半导体功率放大器

权利要求书

1.一种化合物半导体功率放大器，包括放大器封装外壳（7）、化合物半导体肖特基二极管（5），高电子迁移率晶体管（6），信号输入接口（1）、肖特基二极管阴极接口（2），高电子迁移率晶体管源极接口（3），高电子迁移率晶体管漏极接口（4），其特征在于：上述肖特基二极管的阳极金属层（13）与上述高电子迁移率晶体管栅极金属层（20）结构相同，上述肖特基二极管的势垒层（15）与上述高电子迁移率晶体管隔离层（18）采用同一种化合物半导体，上述肖特基二极管的阳极金属层（13）与上述高电子迁移率晶体管栅极金属层（20）通过导电线连接并与上述信号输入接口（1）连接。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体功率放大器，其特征在于，上述肖特基二极管的势垒层（15）与上述高电子迁移率晶体管隔离层（18）采用的化合物半导体为铝镓砷Al_xGa_1-xAs （0<= x <= 1）。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体功率放大器，其特征在于，上述肖特基二极管的势垒层（15）与上述高电子迁移率晶体管隔离层（18）采用的化合物半导体为铝镓氮Al_yGa_1-yN（0<= y <= 1）。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体功率放大器，其特征在于，上述肖特基二极管的阳极金属层（13）与上述高电子迁移率晶体管栅极金属层（20）采用的金属结构包含镍（Ni）、金（Au）、铂（Pt）、钛（Ti）、铝（Al）、钨(W)中的一种。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体功率放大器，其特征在于，上述肖特基二极管的势垒层（15）与上述高电子迁移率晶体管隔离层（18）的厚度大于0.1纳米并小于200纳米。