[实用新型]太阳电池的背面电极结构

权利要求书

1.一种太阳电池的背面电极结构，其特征在于：包括p型硅基底和主栅线、触手、副栅线，硅基底的背面镀有介质钝化膜，介质钝化膜开有若干平行的线槽，副栅线采用铝制成的副栅线，每个线槽分别对应设有副栅线，副栅线穿过线槽连接硅基底，主栅线设于介质钝化膜上，且主栅线下方的介质钝化膜无线槽，主栅线采用银或铜制成的主栅线，主栅线的侧部设有触手，触手设于主栅线与副栅线间，主栅线通过触手连接副栅线，触手与副栅线的连接端设有用于连接的凹形槽，主栅线的宽度范围为0.2~1.5mm，主栅线数量两根以上，副栅线的数量大于两根，副栅线的宽度0.5mm~1.5mm、高度10-50um。

2.如权利要求1所述的太阳电池的背面电极结构，其特征在于：副栅线的宽度大于线槽的宽度。

3.如权利要求1所述的太阳电池的背面电极结构，其特征在于：主栅线的两侧分别通过触手连接副栅线，副栅线与触手交叠的区域大于30um，副栅线的高度为10~50um。

4.如权利要求1所述的太阳电池的背面电极结构，其特征在于：p型硅基底使用掺杂剂III族元素，硅基底电阻率范围0.2~6ohm.cm。