[实用新型]点虚线型太阳电池的背面结构

权利要求书

1.一种点虚线型太阳电池的背面结构，其特征在于：包括硅基底，硅基底设有钝化介质膜，钝化介质膜设有若干开槽单元，开槽单元采用点虚线型开槽单元，开槽单元由2-4个点槽直线排列不完全重叠而成，点槽包括叠合部和独立部，相邻的两个点槽重叠处形成叠合部，单独一个点槽且不与相邻点槽重叠处形成独立部，开槽单元作为点虚线的实部，开槽单元排列成若干条直线，同一条直线上相邻的开槽单元间设有未开槽单元，未开槽单元作为点虚线的虚部。

2.如权利要求1所述的点虚线型太阳电池的背面结构，其特征在于：开槽单元在硅基底的左右方向排列形成若干相互平行的槽行，开槽单元在硅基底的上下方向排列形成若干相互平行的槽列，槽行与槽列相互垂直。

3.如权利要求1所述的点虚线型太阳电池的背面结构，其特征在于：点槽包括边部点槽和一个以上的中部点槽，中部点槽设于两个边部点槽间，独立部包括独立中部和独立边部，单独一个边部点槽且不与相邻点槽重叠处形成独立边部，单独一个中部点槽且不与相邻点槽重叠处形成独立中部。

4.如权利要求1所述的点虚线型太阳电池的背面结构，其特征在于：点槽采用圆形、方形或椭圆形。

5.如权利要求1-4任一项所述的点虚线型太阳电池的背面结构，其特征在于：点槽采用短轴为25-60μm、长轴为40-80μm的椭圆形点槽，或点槽采用宽度为25-60μm，长度为25-60μm的方形点槽。

6.如权利要求1-4任一项所述的点虚线型太阳电池的背面结构，其特征在于：硅基底的左右方向上相邻的开槽单元的间距为25um~600um，相邻的槽行间距为200~1200um。

7.如权利要求1-4任一项所述的点虚线型太阳电池的背面结构，其特征在于：叠合部在一个点槽中的面积比例为20%-40%。

8.如权利要求1-4任一项所述的点虚线型太阳电池的背面结构，其特征在于：开槽单元的长度不超过100 um。