[实用新型]一种智能大功率高效率110V充电机控制板

权利要求书

1.一种智能大功率高效率110V充电机控制板电路设计包含模拟量处理模块 ，IGBT驱动模块，CAN通讯处理模块,存储处理模块，可控硅驱动模块，控制系统电源和CPU数字信号处理器电路；所述的模拟量处理温度采集电路包括IC0芯片，IC1芯片，IC2芯片构成，IC0芯片连接芯片IC1的27引脚，IC1的13引脚连接芯片IC2A的3引脚，芯片IC2A的2引脚连接电阻R3，电阻R3另一端连接芯片IC2A的1引脚，同时连接电阻R2，电阻R2另一端连接芯片IC2B的5引脚，芯片IC1的1引脚连接电源PS1+15V，芯片IC1的2引脚连接电源PS1-15V，芯片IC1的5引脚连接电源PS2+15V，芯片IC1的16引脚连接电源PS2-15V，芯片IC2A的8引脚连接电源PS2+15V，芯片IC2A的4引脚连接芯片PS2-15V，芯片IC2A的6引脚连接电阻R4，电阻R4另一端连接芯片IC2B的7引脚，同时连接电阻R5，电阻R5输出电压信号Vout到CPU数字处理器模块；所述CAN通讯处理模块电路由芯片IC3，电容C1，电阻R6和端子接口P1构成，其中IC3引脚的2引脚与电容C1一端连接同时接电源VCC，另一端连接芯片IC3的3引脚，芯片IC3的1引脚和4引脚分别连接CPU数字处理器模块通信引脚，芯片IC3的7引脚连接电阻R6一端同时连接端子P1的1脚，芯片IC3的6引脚连接电阻R6另一端同时连接端子P1的2脚；所述的IGBT控制模块由芯片IC5，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，电容C5，电容C6，电容C7，电容C8，电容C9，电容C10，电容C11，二极管D5，二极管D6，二极管D7，二极管D9，二极管D10，二极管D13，三极管Q1组成，芯片IC5第一引脚连接电阻R10一端，另一端连接芯片IC5的第三引脚，同时连接电阻R11一端，另一端连接Q1基极，电阻R9一端连接电源PS1+15V，另一端连接电容C5一端，电容C5另一端连接IC5第7引脚，三极管Q1集电极连接IC5第7引脚，三极管Q1发射极连接电阻R12一端，另一端连接电阻R13，电阻R3另一端连接PS1+15V，芯片IC5第8引脚，第13引脚，第14引脚，第15引脚，第16引脚，第17引脚连接电源PS1+15V，芯片IC5第18引脚，第19引脚，第20引脚，第21引脚，第22引脚连接电源地GND，芯片IC5第44引脚连接芯片IC5第43引脚，电阻R14一端连接IC5第44引脚，另一端连接L1G2，L1G2为IGBT接线端子，电阻R15连接IC5第44引脚，另一端连接LIG2，芯片IC5第42引脚连接电容C6一端，电容C6另一端连接芯片IC5第36引脚，芯片IC5第41引脚连接第42引脚，电容C7一端连接芯片IC5第40引脚，另一端连接芯片IC5的第42引脚，芯片IC5第39引脚连接芯片IC5第38引脚，芯片IC5第37引脚连接电阻R16一端，电阻R16另一端连接芯片IC5第38引脚，同时接到L1E2，L1E2为IGBT接线端子，芯片IC5第36引脚连接电阻R17一端，电阻17另一端连接二极管D5正极，二极管D5负极连接二极管D6正极，二极管D6负极连接L2E1接线端子，芯片IC5第35引脚连接二极管D7负极，二极管D7负极连接电阻R18一端，电阻R18另一端连接电容C9一端，电容C9另一端连接芯片IC5的第42引脚，芯片IC5第32引脚连接芯片IC5第31引脚，电阻R19一端连接IC5第32引脚，另一端连接L2G1，L2G1为IGBT接线端子，电阻R20连接IC5第31引脚，另一端连接L2G1，芯片IC5第30引脚连接电容C10一端，电容C10另一端连接芯片IC5第24引脚，芯片IC5第30引脚连接第29引脚，电容C8一端连接芯片IC5第28引脚，另一端连接芯片IC5的第30引脚，芯片IC5第27引脚连接芯片IC5第26引脚，芯片IC5第25引脚连接电阻R21一端，电阻R21另一端连接芯片IC5第26引脚，同时接到L2E1，L2E1为IGBT接线端子，芯片IC5第24引脚连接电阻R22一端，电阻R22另一端连接二极管D9正极，二极管D9负极连接二极管D10正极，二极管D10负极连接1C接线端子，1C为IGBT接线端子，芯片IC5第23引脚连接二极管D13负极，二极管D13负极连接电阻R23一端，电阻R23另一端连接电容C11一端，电容C11另一端连接芯片IC5的第30引脚。