[实用新型]具有纳米结构的发光二极管

权利要求书

1.具有纳米结构的发光二极管，至少包括从下至上的衬底、N型层、发光层、P型层、以及位于所述P型层表面的P电极和位于N型层表面的N电极，其特征在于：所述P电极与P型层接触位置具有第一纳米结构，所述第一纳米结构包括位于所述P型层上由第一纳米柱分隔成的第一纳米凹槽、位于所述P电极下表面由第二纳米柱分隔成的第二纳米凹槽，以及连接所述P电极和P型层的第一高反射率纳米线，所述第一高反射率纳米线上端和下端分别插入第一纳米凹槽和第二纳米凹槽内。

2.根据权利要求1所述的具有纳米结构的发光二极管，其特征在于：所述N电极与N型层接触位置还具有第二纳米结构，所述第二纳米结构包括位于所述N型层上由第三纳米柱分隔成的第三纳米凹槽、位于所述N电极下表面由第四纳米柱分隔成的第四纳米凹槽，以及连接所述N电极和N型层的第二高反射率纳米线，所述第二高反射率纳米线上端和下端分别插入第三纳米凹槽和第四纳米凹槽内。

3.根据权利要求1所述的具有纳米结构的发光二极管，其特征在于：所述第一高反射率纳米线的长度小于或等于第一纳米凹槽和第二纳米凹槽的深度之和。

4.根据权利要求2所述的具有纳米结构的发光二极管，其特征在于：所述第二高反射率纳米线的长度小于或等于第三纳米凹槽和第四纳米凹槽的深度之和。

5.根据权利要求2所述的具有纳米结构的发光二极管，其特征在于：所述第一高反射率纳米线为ZnS、Al₂O₃、SnO纳米线中的任意一种；所述第二高反射率纳米线为ZnS、Al₂O₃、SnO纳米线中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的具有纳米结构的发光二极管，其特征在于：所述P型层上表面还具有透明导电层，所述P电极穿过透明导电层与P型层接触。

7.根据权利要求1所述的具有纳米结构的发光二极管，其特征在于：所述衬底为硅、碳化硅、玻璃、氮化镓、蓝宝石衬底中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的具有纳米结构的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管为蓝光、青光、红光、黄光、绿光发光二极管中的任意一种。